[發(fā)明專利]銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110306669.X | 申請(qǐng)日: | 2011-10-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102418072A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖旭東;劉壯;楊春雷;王曉峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院;香港中文大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/24 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/24;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅銦鎵硒 薄膜 太陽(yáng)能電池 光吸收 制備 方法 | ||
1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,將銅、銦、鎵和硒四種單質(zhì)分別蒸發(fā)沉積到襯底上,控制鎵蒸發(fā)溫度在900℃~1100℃內(nèi)并且在蒸發(fā)過(guò)程中先均勻降溫35℃~45℃再均勻升溫35℃~45℃;控制銦的蒸發(fā)溫度在800℃~1000℃內(nèi)并且在蒸發(fā)過(guò)程中先均勻升溫45℃~55℃再均勻降溫45℃~55℃,從而主動(dòng)控制鎵和銦的蒸發(fā)量使得所述光吸收層在厚度方向上兩側(cè)的鎵含量高于中間的鎵含量。
2.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,所述蒸發(fā)過(guò)程中包括三個(gè)階段:
第一階段:控制襯底溫度在200℃~300℃,控制鎵的蒸發(fā)溫度為900℃~1100℃之間并在第一階段均勻地降溫35℃~45℃,控制銦的蒸發(fā)溫度為800℃~1000℃之間并在第一階段均勻地升溫45℃~55℃,控制硒的蒸發(fā)溫度在200℃~300℃之間;第一階段的蒸發(fā)時(shí)間為10min~20min,第一階段結(jié)束后在所述襯底的一個(gè)表面形成第一光吸收層;
第二階段:停止蒸發(fā)銦和鎵,提高襯底溫度在450℃~600℃之間,維持硒的蒸發(fā)溫度與第一階段相同,控制銅的蒸發(fā)溫度在1300℃~1500℃之間;第二階段的蒸發(fā)時(shí)間為10min~30min,并在沉積中的襯底的表面溫度突然下降時(shí)立即停止蒸發(fā);第二階段結(jié)束后在所述第一光吸收層的表面形成第二光吸收層;
第三階段:停止蒸發(fā)銅,維持襯底溫度與第二階段相同,維持硒的蒸發(fā)溫度與第二階段相同,控制鎵的蒸發(fā)溫度為900℃~1100℃并在第三階段均勻地升溫35℃~45℃,控制銦的蒸發(fā)溫度為800℃~1000℃并在第三階段均勻地降溫45℃~55℃;第三階段的蒸發(fā)時(shí)間為1min~3min,第三階段結(jié)束后在所述第二光吸收層的表面形成第三光吸收層,從而得到所述銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層。
3.如權(quán)利要求2所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,第一階段,鎵的蒸發(fā)溫度降低40℃,銦的蒸發(fā)溫度升高50℃;
第三階段,鎵的蒸發(fā)溫度升高40℃,銦的蒸發(fā)溫度降低50℃。
4.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,所述蒸發(fā)過(guò)程包括二個(gè)階段:
第一階段、控制襯底溫度在450℃~600℃,控制鎵的蒸發(fā)溫度為900℃~1100℃并在第一階段均勻地降溫35℃~45℃,控制銦的蒸發(fā)溫度為800℃~1000℃并在第一階段均勻地升溫45℃~55℃,控制硒的蒸發(fā)溫度在200℃~300℃,控制銅的蒸發(fā)溫度在1300℃~1500℃之間;第一階段的蒸發(fā)時(shí)間為8min~12min,第一階段結(jié)束后在所述襯底的一個(gè)表面形成光吸收層I;
第二階段:維持襯底溫度與第一階段相同,維持硒的蒸發(fā)溫度與第一階段相同,維持銅的蒸發(fā)溫度與第一階段相同,控制鎵的初始蒸發(fā)溫度為第一階段結(jié)束時(shí)的溫度并在第二階段均勻地升溫35℃~45℃,控制銦的初始蒸發(fā)溫度為第一階段結(jié)束時(shí)的溫度并在第二階段均勻地降溫45℃~55℃;第二階段的蒸發(fā)時(shí)間為1min~3min,第二階段結(jié)束后在所述光吸收層I的表面形成光吸收層II,從而得到所述銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層。
5.如權(quán)利要求4所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,第一階段,鎵的蒸發(fā)溫度降低40℃,銦的蒸發(fā)溫度升高50℃;
第二階段,鎵的蒸發(fā)溫度升高45℃,銦的蒸發(fā)溫度降低55℃。
6.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,所述襯底為沉積有導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻璃,所述光吸收層沉積在所述導(dǎo)電層表面。
7.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,銅、銦、鎵和硒四種單質(zhì)分別采用獨(dú)立加熱部件控制加熱。
8.如權(quán)利要求7所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,蒸發(fā)過(guò)程中,分別實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)銅、銦、鎵和硒四種蒸發(fā)源的蒸發(fā)溫度并通過(guò)監(jiān)測(cè)結(jié)果反饋調(diào)節(jié)控制蒸發(fā)溫度。
9.如權(quán)利要求7所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,蒸發(fā)過(guò)程中,分別實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)銅、銦、鎵和硒四種元素的蒸發(fā)速率并通過(guò)監(jiān)測(cè)結(jié)果反饋調(diào)節(jié)控制蒸發(fā)溫度。
10.如權(quán)利要求7所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層的制備方法,其特征在于,蒸發(fā)過(guò)程中,分別實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)襯底上的銅、銦、鎵和硒四種元素的蒸發(fā)量并通過(guò)監(jiān)測(cè)結(jié)果反饋調(diào)節(jié)控制蒸發(fā)溫度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





