[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽電池新型主柵電極無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110306666.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102361038A | 公開(公告)日: | 2012-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢金梁;楊雷;殷海亭;何晨旭;陳陽泉;凌振江;王冬松;王步峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 王立曉 |
| 地址: | 277600 山東省濟(jì)*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽電池 新型 電極 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽電池新型主柵電極,特別涉及一種晶體硅太陽電池新型主柵 電極(bus-bar)鏤空結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
晶體硅太陽電池是一種能夠有效吸收太陽能輻射并使之轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件,可應(yīng) 用于各種發(fā)電系統(tǒng)。晶體硅太陽電池發(fā)電技術(shù)推廣應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力在兩方面,高轉(zhuǎn)換效率 和低成本。除了硅片,導(dǎo)電銀漿的優(yōu)化應(yīng)用是同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩方面目標(biāo)的重點(diǎn)。
晶體硅太陽能電池的主柵作用是收集并傳導(dǎo)電荷。為了降低電極電阻引起的功率損耗, 保障電極主柵的可焊性,提高晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,晶體硅太陽能電池電極通常使 用貴金屬銀制成的導(dǎo)電漿料來制備。常規(guī)的晶體硅太陽能電池電極主柵一般被導(dǎo)電銀漿料完 全填充,這不僅增加了巨額的銀漿單耗成本,而且在焊接過程中容易造成錫溢流,產(chǎn)生錫絲, “拉錫現(xiàn)象”不僅引起外觀不良,致使返工率、碎片率和報(bào)廢率上升,進(jìn)一步抬高成本。因 此,設(shè)計(jì)一種主柵電極結(jié)構(gòu),改善焊接良品率,確保電荷收集和傳輸不受任何影響,是一種 降本增效的有效途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶體硅太陽電池新型主柵電極,能避免晶體硅太陽能電池片在 焊接時(shí)產(chǎn)生錫絲的電極結(jié)構(gòu),能夠節(jié)約晶體硅太陽能電池電極印刷導(dǎo)電銀漿的耗量,從而達(dá) 到降本增效的目的。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
一種晶體硅太陽電池新型主柵電極,電極上設(shè)有鏤空式導(dǎo)電漿料層,鏤空式導(dǎo)電漿料層 包括位于主柵電極兩邊的邊框、主柵電極中間等距離均勻排列的“工”字形接觸條,“工”字 形接觸條與邊框連為一體。
所述的相鄰兩個(gè)“工”字形接觸條間有導(dǎo)電漿料線條連接。
所述的導(dǎo)電漿料線條優(yōu)選有1-3條,在邊框間形成含2-4個(gè)長方形鏤空的圖形。
本發(fā)明主柵電極的“工”字形接觸條可以提供一定的可焊接面積,保障焊帶的附著強(qiáng)度以 及焊接的可靠性,其中間的實(shí)線連接邊框能夠有效降低主柵電極體電阻,同時(shí)能保證員工焊 接操作的連貫性。相鄰兩個(gè)“工”字形接觸條間存在長方形鏤空?qǐng)D案,能有效的減少導(dǎo)電銀 漿的消耗量;長方形鏤空在焊接時(shí)可儲(chǔ)存溢出的焊錫,可以避免錫絲的出現(xiàn),提高焊接的良 品率;長方形的鏤空還能減小導(dǎo)電銀漿與硅片表面的接觸面積,從而降低載流子復(fù)合,提高 開路電壓和短路電流。采用上述方式制備的晶體硅太陽能電池主柵結(jié)構(gòu),不僅能降低晶體硅 太能電池的制造成本,而且還可以提高電池組件的良品率,降低組件的生產(chǎn)成本。
本發(fā)明與全柵式非鏤空主柵電極的電池電性能對(duì)比數(shù)據(jù)如下表1:
表1
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1邊框,2副柵,3“工”字形接觸條,4長方形鏤空?qǐng)D形。
具體實(shí)施方式
一種晶體硅太陽電池新型主柵電極,電極上設(shè)有鏤空式導(dǎo)電漿料層,鏤空式導(dǎo)電漿料層 包括位于主柵電極兩邊的邊框1、主柵電極中間等距離均勻排列的“工”字形接觸條3,“工” 字形接觸點(diǎn)條3與邊框1連為一體。
晶硅電池電極主柵兩端為被導(dǎo)電漿料完全填充的實(shí)線邊框1,電極主柵通過邊框?qū)嵕€與 副柵2相連,電極主柵中間部分為導(dǎo)電漿料選擇性填充。
實(shí)施例1
晶體硅太陽電池主柵電極相鄰兩個(gè)“工”字形接觸條間為鏤空,無導(dǎo)電漿料線條連接。
實(shí)施例2
晶體硅太陽電池主柵電極相鄰兩個(gè)“工”字形接觸條間有導(dǎo)電漿料線條連接。
所述的導(dǎo)電漿料線條有1條,在邊框間形成含2個(gè)長方形鏤空的圖形。
實(shí)施例3
晶體硅太陽電池主柵電極相鄰兩個(gè)“工”字形接觸條間有導(dǎo)電漿料線條連接。
所述的導(dǎo)電漿料線條有3條,在邊框間形成含4個(gè)長方形鏤空的圖形。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





