[發(fā)明專利]化合物硼酸鉛和硼酸鉛非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110306415.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103046113A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘世烈;俞洪偉;吳紅萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B11/00 | 分類號(hào): | C30B11/00;C30B29/22;G02F1/355 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務(wù)所 65106 | 代理人: | 張莉 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 硼酸 非線性 光學(xué) 晶體 制備 方法 用途 | ||
1.一種化合物硼酸鉛,其特征在于該化合物的化學(xué)式為Pb4O(BO3)2,分子量962.38,采用固相反應(yīng)法合成化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于該化合物為摩爾比2∶1的含鉛和含硼化合物。
3.如權(quán)利要求2所述的化合物,其特征在于含鉛化合物為碳酸鉛、硝酸鉛、氧化鉛、醋酸鉛或草酸鉛;含硼化合物為硼酸或氧化硼。
4.一種硼酸鉛非線性光學(xué)晶體,其特征在于該晶體的化學(xué)式為Pb4O(BO3)2,不具有對(duì)稱中心,屬正交晶系,空間群Aba2,晶胞參數(shù)為Z=8,
5.如權(quán)利要求4所述的化合物硼酸鉛非線性光學(xué)晶體的制備方法,其特征在于采用固相反應(yīng)法合成化合物,再采用化合物熔體法生長晶體或加入助溶劑生長晶體,具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將硼酸鉛化合物在坩堝中加熱到熔化,加熱至溫度370-800℃,恒溫5-80小時(shí),得到硼酸鉛的混合熔體;或?qū)⑴鹚徙U化合物中加入助熔劑,加熱至溫度370-800℃,恒溫5-80小時(shí),得到含硼酸鉛與助熔劑的混合熔液,其中硼酸鉛化合物與助熔劑的摩爾比為1∶0.1-3;
b、制備硼酸鉛籽晶:將步驟a得到的混合熔體或混合熔液以溫度0.5-10℃/h的速率緩慢降至室溫,自發(fā)結(jié)晶獲得硼酸鉛籽晶;
c、將盛有步驟a制得的混合熔體或混合熔液的坩堝置入晶體生長爐中,將步驟b得到的籽晶固定于籽晶桿上,從晶體生長爐頂部下籽晶,先預(yù)熱籽晶5-60分鐘,將籽晶下至接觸混合熔液液面或混合熔液體中進(jìn)行回熔,恒溫時(shí)間5-60分鐘,以溫度1-60℃/h的速率在降溫至溫度350-600℃;
d、再以溫度0.1-5℃/天的速率緩慢降溫,以0-60rpm轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶桿進(jìn)行晶體的生長,待單晶生長到所需尺度后,將晶體提離混合熔液表面,并以溫度1-80℃/h速率降至室溫,然后將晶體從爐膛中取出,即可得到硼酸鉛非線性光學(xué)晶體。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于步驟a所述助熔劑為PbO-H3BO3、H3BO3或PbO,助熔劑PbO-H3BO3體系中,PbO與H3BO3的摩爾比為1-3∶1-4。
7.如權(quán)利要求6所述方法,其特征在于步驟b所述化合物熔體法生長晶體包括提拉法、泡生法或坩堝移動(dòng)法。
8.如權(quán)利要求4所述的硼酸鉛非線性光學(xué)晶體,其特征在于,該晶體在制備倍頻發(fā)生器、上頻率轉(zhuǎn)換器、下頻率轉(zhuǎn)換器或光參量振蕩器中的用途。
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