[發明專利]芘主鏈聚合物及含有該聚合物的抗反射硬掩模組合物以及材料層的圖案化方法

有效

• 申請號: 201110305955.4
• 申請日: 2007-12-31
• 公開（公告）號: CN102516503A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 尹敬皓;金鐘涉;魚東善;吳昌一;邢敬熙;金旼秀;李鎮國
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: C08G61/02
• 分類號: C08G61/02;C08G61/10;G03F7/00;G03F7/09;G03F7/11
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種芘主鏈的聚合物，該聚合物由式C表示：

其中：

芘基為未取代的或取代的，

m為至少1且小于750，

n為至少1且小于750，

R₁為亞甲基或包括含非芘芳基的連接基團，

R₂為氧或具有1至7個碳的烷氧基，其中烷氧基的氧與氫H或基團G結合，且

G為乙烯基或烯丙基。

2.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述芘基為取代的，使得式C由式3表示：

其中：

R₃、R₄、R₅、R₆和R₇各自獨立地為氫、羥基、10個碳以下的烴基、或鹵素，且

R₃、R₄、R₅、R₆和R₇中的至少一個不為氫。

3.根據權利要求2所述的聚合物，其中：

R₃、R₄、R₅、R₆和R₇中的至少一個為10個碳以下的烴基，且

所述10個碳以下的烴基包括C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₀芳基、或者烯丙基。

4.根據權利要求1所述的聚合物，其中，R₁為：

5.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述聚合物的重均分子量為1000至30000。

6.一種抗反射硬掩模組合物，該組合物含有：

有機溶劑；

引發劑；和

由式C表示的聚合物：

其中：

在式C中，芘基為未取代的或取代的，

m為至少1且小于750，

n為至少1且小于750，

R₁為亞甲基或含有芳基連接基，

R₂為氧或具有1至7個碳的烷氧基，其中烷氧基的氧與氫H或基團G結合，且

G為乙烯基或烯丙基。

7.根據權利要求6所述的組合物，其中，基于100重量份的所述有機溶劑，所述組合物含有1-30重量份的所述至少一種聚合物。

8.根據權利要求6所述的組合物，其中，所述組合物還含有交聯劑和催化劑，其中：

所述組合物含有1-20重量％的所述至少一種聚合物，

所述組合物含有0.001-5重量％的所述引發劑，

所述組合物含有75-98.8重量％的所述有機溶劑，

所述組合物含有0.1-5重量％的所述交聯劑，且

所述組合物含有0.001-0.05重量％的所述催化劑。

9.根據權利要求6所述的組合物，其中，所述組合物還含有交聯劑，其中所述交聯劑包括醚化的氨基樹脂、N-甲氧基甲基三聚氰胺樹脂、N-丁氧基甲基三聚氰胺樹脂、甲基化的脲樹脂、丁基化的脲樹脂、甘脲衍生物、2，6-雙(羥甲基)-對甲酚化合物、或雙環氧化合物中的一種或幾種。

10.一種材料層的圖案化方法，該方法包括：

使用根據權利要求6所述的組合物在所述材料層上形成硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成輻射敏感成像層；

以形成圖案的方式將成像層暴露到輻射下，以在所述成像層中形成輻射曝光區域的圖案；

選擇性地除去部分所述成像層和所述硬掩模層以暴露部分所述材料層；以及

蝕刻通過所述硬掩模層中的開口暴露的部分材料層。