[發(fā)明專利]用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法及其設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110304762.7 | 申請日： | 2011-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN102593238A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙軍;梅芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 上方能源技術(shù)（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B23K26/36 |
| 代理公司： | 湖州金衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 趙衛(wèi)康 |
| 地址： | 311215 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 薄膜 太陽能電池 激光 劃線 方法 及其 設(shè)備 | ||
1.?用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法，包括兩道劃線P1和P2，P1劃線使用激光對透明導(dǎo)電氧化物膜層進行劃線，P2劃線使用激光對半導(dǎo)體膜層進行劃線，其特征在于：所述兩道劃線P1和P2均在半導(dǎo)體鍍膜之后和背電極鍍膜之前的時間內(nèi)進行，所述P1劃線穿越所述半導(dǎo)體膜層和所述透明導(dǎo)電氧化物膜層形成第一溝槽；所述P2劃線穿越所述半導(dǎo)體膜層形成與所述第一溝槽相平行的第二溝槽。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法，其特征在于還包括：采用絕緣材料填充所述P1劃線后形成的所述第一溝槽。
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法，其特征在于：所述絕緣材料為絕緣材料墨水，所述填充通過噴墨打印形成。
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法，其特征在于：在所述半導(dǎo)體膜層上進行背電極鍍膜形成背電極層，然后在所述背電極層上進行第三道P3劃線，所述P3劃線穿越所述背電極層形成第三溝槽。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜太陽能電池的激光劃線方法的劃線設(shè)備，其特征在于：包括兩個或兩組激光頭，一個或一組用于P1劃線，另一個或一組用于P2劃線，使用激光劃線形成的第一溝槽和第二溝槽相互平行。
6.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于薄膜太陽能電池的劃線設(shè)備，其特征在于：在所述劃線設(shè)備的平臺上還配備有填充裝置。
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于薄膜太陽能電池的劃線設(shè)備，其特征在于：所述填充裝置為噴墨式打印頭或激光打印頭。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
