[發明專利]一種高壓終端有效
| 申請號： | 201110303575.7 | 申請日： | 2011-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN102751315A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發明（設計）人： | 李思敏 | 申請（專利權）人： | 李思敏 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 張衛華 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 終端 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓終端，在槽形柵多晶硅結構的聯柵晶體管的有源區的外圍，有場限環，該場限環的上面有場板，場限環與場板之間有絕緣層隔離，其特征在于：
所述場限環為重摻雜P+型槽形環，槽的深度為1-6微米：
所述場板為重摻雜N+型多晶硅環，多晶硅場板的上表面與金屬鋁層相連，金屬鋁層與P+型槽形場限環的槽的底面相連。
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