[發(fā)明專利]一種高壓終端有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110303575.7 | 申請(qǐng)日： | 2011-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102751315A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李思敏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 李思敏 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 張衛(wèi)華 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高壓 終端 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高壓終端，在槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管的有源區(qū)的外圍，有場(chǎng)限環(huán)，該場(chǎng)限環(huán)的上面有場(chǎng)板，場(chǎng)限環(huán)與場(chǎng)板之間有絕緣層隔離，其特征在于：
所述場(chǎng)限環(huán)為重?fù)诫sP+型槽形環(huán)，槽的深度為1-6微米：
所述場(chǎng)板為重?fù)诫sN+型多晶硅環(huán)，多晶硅場(chǎng)板的上表面與金屬鋁層相連，金屬鋁層與P+型槽形場(chǎng)限環(huán)的槽的底面相連。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
