[發明專利]用于處理硅襯底的方法和設備

無效

• 申請號: 201110303337.6
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102446707A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 安吉秀;張承逸
• 申請（專利權）人: 株式會社MM科技
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種處理硅襯底的方法，包括：

提供包含硅膜的襯底；

在第一時段內向所述襯底的表面提供能夠蝕刻氧化硅膜的第一流體；以及

在第二時段內向所述襯底的所述表面提供第二流體，所述第二流體能夠蝕刻所述氧化硅膜，具有與所述第一流體相比不同的成分，且具有對于所述氧化硅膜的高蝕刻比，所述第二時段不同于所述第一時段。

2.根據權利要求1所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一流體含有臭氧溶液。

3.根據權利要求1所述的處理硅襯底的方法，其中所述第二流體含有氟或氟化銨溶液。

4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的處理硅襯底的方法，進一步包括在第三時段內到所述襯底的所述表面的含有水的第三流體，所述第三時段不同于所述第一時段和所述第二時段。

5.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第三時段被安排在所述第一時段與所述第二時段之間。

6.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述襯底被平行于地面而布置或相對于所述地面傾斜。

7.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一流體到所述第三流體中的至少一者從所述硅膜的表面的第一端循序供應到所述硅膜的所述表面的第二端。

8.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一時段到所述第三時段彼此部分重疊。

9.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一時段到所述第三時段被安排為具有不同的開始時間。

10.根據權利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中流體切割空氣被提供到所述襯底的所述表面以移除保留在所述襯底的所述表面上的所述第一流體到所述第三流體中的至少一者，且

所述流體切割空氣在第四時段內被提供到所述襯底的所述表面，所述第四時段不同于所述第一時段到所述第三時段且被安排在所述第一時段到所述第三時段中的至少兩者之間。

11.一種硅襯底處理設備，包括：

支撐基底，用于支撐包含硅膜的襯底；

流體供應單元，向所述襯底的表面提供用于蝕刻氧化硅膜的流體；

水供應單元，將水提供到所述襯底的所述表面；以及

控制單元，連接到所述流體供應單元和所述水供應單元，且控制所述流體供應單元和所述水供應單元以分別在不同時段內提供用于蝕刻所述氧化硅膜的所述流體和所述水。

12.根據權利要求11所述的硅襯底處理設備，其中所述流體供應單元包括：

第一流體供應單元，向所述襯底的表面提供能夠蝕刻所述氧化硅膜的第一流體且連接到所述控制單元；以及

第二流體供應單元，向所述襯底的所述表面提供第二流體且連接到所述控制單元，所述第二流體能夠蝕刻所述氧化硅膜，具有與所述第一流體相比不同的成分，且具有對于所述氧化硅膜的與所述第一流體相比較高的蝕刻比。

13.根據權利要求12所述的硅襯底處理設備，其中所述控制單元控制所述流體供應單元以分別在不同時段內提供所述第一流體和所述第二流體。

14.根據權利要求12所述的硅襯底處理設備，其中所述第一流體含有臭氧溶液。

15.根據權利要求12所述的硅襯底處理設備，其中所述第二流體含有氟或氟化銨溶液。

16.根據權利要求11所述的硅襯底處理設備，其中所述支撐基底經布置以調整所述襯底相對于地面的傾斜。

17.根據權利要求11所述的硅襯底處理設備，進一步包括流體切割空氣供應單元，所述流體切割空氣供應單元向所述襯底的所述表面提供流體切割空氣且連接到所述控制單元，

其中所述控制單元同時接通所述流體切割空氣供應單元和所述第一流體供應單元，或同時接通所述流體切割空氣供應單元和所述第二流體供應單元。