[發(fā)明專利]多晶硅薄膜檢查方法及其裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110303274.4
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102446784A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖井進;村松剛;荒木正樹;山口清美
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立高新技術(shù)
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;曹鑫

1.一種多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，具備：

光照射單元，其向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光；

第一拍攝單元，其拍攝由該光照射單元照射到所述基板的光中透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像；

第二拍攝單元，其拍攝產(chǎn)生于由該光照射單元照射光的所述多晶硅薄膜的一次衍射光的圖像；以及

圖像處理單元，其對由該第一拍攝單元拍攝得到的所述散射光的圖像和由所述第二拍攝單元拍攝得到的所述一次衍射光的圖像進行處理，從而檢查所述多晶硅薄膜的結(jié)晶狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，

所述第一拍攝單元具有對透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光進行遮光的遮光板，所述第一拍攝單元拍攝未被該遮光板遮擋的透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，

所述第一拍攝單元相對于透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光的行進方向傾斜設(shè)置，從而檢測不到透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，

所述光照射單元從所述基板的背面?zhèn)日丈渌龉猓雠臄z單元拍攝由所述光照射單元照射到所述基板的背面?zhèn)炔乃龆嗑Ч璞∧さ谋砻鎮(zhèn)壬⑸涞纳⑸涔獾膱D像。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，

所述光照射單元從所述基板的表面?zhèn)日丈渌龉猓雠臄z單元拍攝由于通過所述光照射單元照射到所述基板的表面?zhèn)鹊墓舛鴱乃龆嗑Ч璞∧さ谋砻鎮(zhèn)壬⑸涞纳⑸涔獾膱D像。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜檢查裝置，其特征在于，

所述光照射單元具備波長選擇部，向所述基板照射通過該波長選擇部進行了波長選擇的光，所述第一拍攝單元具備偏振光過濾器，拍攝來自所述基板的透射光或者反射光附近的散射光中透射過該偏振光過濾器的光所形成的一次衍射光圖像。

7.一種多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，

拍攝照射到該基板的光中透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜規(guī)則反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像，

拍攝由于照射到該基板的光而從所述多晶硅薄膜產(chǎn)生的一次衍射光的圖像，

對拍攝該散射光的圖像所得到的圖像和拍攝所述一次衍射光的圖像所得到的圖像進行處理，從而檢查所述多晶硅薄膜的結(jié)晶狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

拍攝透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜規(guī)則反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像，其通過如下方式來進行：

對透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜規(guī)則反射的光進行遮光，拍攝未被該遮光所遮擋的所述透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

拍攝照射到所述基板的光中透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜規(guī)則反射的光附近的來自所述多晶硅薄膜的散射光的圖像，其通過如下方式來進行：

相對于透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光的行進方向傾斜著進行拍攝，從而檢測不到透射過所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

通過從所述基板的背面?zhèn)日丈涔鈦硐蛩龌逭丈涔猓ㄟ^拍攝照射到所述基板的背面?zhèn)炔乃龆嗑Ч璞∧さ谋砻鎮(zhèn)壬⑸涞纳⑸涔獾膱D像來拍攝所述散射光的圖像。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

通過從所述基板的表面?zhèn)日丈涔鈦硐蛩龌逭丈涔猓ㄟ^拍攝照射到所述基板的表面?zhèn)炔乃龆嗑Ч璞∧さ谋砻鎮(zhèn)壬⑸涞纳⑸涔庵衼碜运龌宓囊?guī)則反射光附近的散射光的圖像來拍攝所述散射光的圖像。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜檢查方法，其特征在于，

向所述基板照射的光是波長經(jīng)過了選擇的光，所述拍攝的來自所述基板的透射光或者反射光附近的散射光的圖像是基于透射過偏振光過濾器的光的散射光的圖像。