[發明專利]溫度測量方法有效
| 申請號： | 201110303076.8 | 申請日： | 2011-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102445284A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 輿水地鹽;山涌純;松土龍夫 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | G01K11/00 | 分類號： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溫度 測量方法 | ||
1.一種溫度測量方法，其特征在于，
該溫度測量方法包括以下工序：
將來自光源的光傳送到在基板上形成有薄膜的測量對象物的測量點；
對由上述基板的表面的反射光構成的第1干涉波、由上述基板與上述薄膜之間的界面的反射光、上述薄膜的背面的反射光構成的第2干涉波進行測量；
對從上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路長度進行計算；
根據上述第2干涉波的強度對上述薄膜的膜厚進行計算；
根據上述計算出來的上述薄膜的膜厚對上述基板的光路長度與上述計算出來的光路長度之間的光路差進行計算；
根據上述計算出來的光路差對上述計算出來的從上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路長度進行校正；
利用上述被校正的光路長度對上述測量對象物的上述測量點處的溫度進行計算。
2.根據權利要求1所述的溫度測量方法，其特征在于，
根據上述薄膜的膜厚與上述第2干涉波的強度之間的關系對上述薄膜的膜厚進行計算。
3.根據權利要求1或2所述的溫度測量方法，其特征在于，
根據上述第1干涉波的強度與上述第2干涉波的強度之比對上述薄膜的膜厚進行計算。
4.根據權利要求1～3中的任一項所述的溫度測量方法，其特征在于，
上述光源產生波長為1000nm以上的光；
上述基板是硅基板。
5.根據權利要求1～4中的任一項所述的溫度測量方法，其特征在于，
上述薄膜是氧化硅膜即SiO2膜、氮化硅膜即Si3N4膜、抗蝕劑膜、樹脂類膜或者金屬膜中的任一種。
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