[發明專利]一種共振隧穿有機發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201110302951.0
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102339955A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 楊盛誼;鄒炳鎖
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種共振隧穿有機發光二極管，其特征在于：包括一層ITO導電電極，即S極；然后在該ITO導電電極上制備一層有機空穴傳輸層1，接著在該有機空穴傳輸層1上制備一層中間金屬電極，即G極，然后再在該中間金屬電極上制備一層有機空穴傳輸層2，之后在該有機空穴傳輸層2上再制備一層有機發光材料，最后在該有機發光材料薄膜上真空蒸鍍電極，即D極，完成共振隧穿有機發光二極管器件的制備；

在制備中間金屬電極時，該中間金屬電極G極與S極和D極之間形成的有效重疊面積具有某一小的失配面積，通過該失配面積形成載流子的隧穿溝道，從而使整個器件形成具有發光行為的共振隧穿有機發光二極管；該某一小的失配面積遠遠小于S極和D極之間形成的有效重疊面積。

2.如權利要求1所述的一種共振隧穿有機發光二極管，其特征在于：所述有機空穴傳輸層1和有機空穴傳輸層2的材料優選為α-NPD，或NPB和TPD等有機空穴傳輸材料；

其中，α-NPD為N，N-Di(naphthalene-1-yl)-N，N`-diphenyl-benzidine；

NPB為N，N′-bis-(1-naphthyl)-N，N′-diphenyl-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine；

TPD為N，N’-bis(4-butylphenyl)-N，N’-bis(phenyl)benzidine。

3.如權利要求1或2所述的一種共振隧穿有機發光二極管，其特征在于：

所述有機空穴傳輸層1和有機空穴傳輸層2所用的材料可以是同一種有機空穴傳輸材料，也可以是不同的有機空穴傳輸材料。

4.如權利要求1至3之一所述的一種共振隧穿有機發光二極管，其特征在于：

所述有機發光層材料優選為Alq₃，發綠光；Alq₃為tris(8-quinolinolate)aluminium。

5.如權利要求1至4之一所述的一種共振隧穿有機發光二極管，其特征在于：

所述電極，即D極，為功函數小于等于4.3eV的一層金屬電極或者兩層金屬電極或者一層金屬合金電極；其中，一層金屬電極優選為鋁電極，兩層金屬電極優選為Ca/Al電極，兩層金屬合金電極優選為Mg/Ag合金。

6.一種共振隧穿有機發光二極管的制備方法，其特征在于：其具體制備步驟為：

第1步：在清洗干凈的ITO玻璃表面通過熱蒸發的方法先制備一層有機空穴傳輸材料薄膜1；

第2步：通過熱蒸發的方法在第1步中所述有機空穴傳輸材料薄膜1上制備一層金屬薄膜作為G極；值得注意的是，該金屬薄膜與S極和D極之間形成的有效重疊面積具有某一小的失配面積，通過該小的失配面積形成載流子的隧穿溝道，從而使本發明提出的共振隧穿有機發光二極管在加上電壓之后具有發光行為；

第3步：通過熱蒸發的方法在第2步中所述金屬薄膜上制備一層有機空穴傳輸材料薄膜2；

第4步：在第3步中所述有機空穴傳輸材料薄膜2上通過熱蒸發的方式制備一層有機發光層；

第5步：最后在真空條件下在第4步中所述有機發光層上真空蒸鍍電極，即D極，得到本發明提出的一種共振隧穿有機發光二極管。

7.如權利要求6所述的一種共振隧穿有機發光二極管的制備方法，其特征在于：第1步中所述ITO玻璃上的ITO薄膜厚度優選為120nm。

8.如權利要求6或7所述的一種共振隧穿有機發光二極管的制備方法，其特征在于：第2步中所述金屬薄膜的厚度優選為15nm～30nm。

9.如權利要求6至8之一所述的一種共振隧穿有機發光二極管的制備方法，其特征在于：第1步和第3步中所述有機空穴傳輸材料薄膜1和有機空穴傳輸材料薄膜2的厚度優選為20nm～100nm。

10.如權利要求6至9之一所述的一種共振隧穿有機發光二極管的制備方法，其特征在于：第4步中所述有機發光層的厚度優選為30nm～100nm。