[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110302761.9
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102468336A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 片山雅也;淺野正義
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;鄭特強

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

第二導電類型的第一區，形成在所述半導體襯底中；

第一導電類型的第二區，形成在所述第一區中；

環形柵電極，形成在所述第二區和所述第一區的結上方并沿著所述結形成；以及

所述第二導電類型的漏極區和源極區，分別形成在所述第一區和所述第二區中，所述漏極區和所述源極區之間具有部分所述柵電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述柵電極包括：在所述結外側的所述第一區上方的外部以及在所述結內側的所述第二區上方的內部；以及

在所述漏極區和所述源極區之間的柵電極部分的所述外部的第一寬度窄于或等于另一柵電極部分的所述外部的第二寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述漏極區形成為離開所述第一區中的柵電極。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

隔離區，形成在所述半導體襯底中，其中，所述隔離區包括開口區，所述開口區包括所述漏極區、所述源極區以及在所述漏極區和所述源極區之間的所述第一區和所述第二區。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述開口區包括：

第一開口部，包括所述漏極區；以及

第二開口部，包括所述源極區，以及在所述漏極區和所述源極區之間的所述第一區和所述第二區。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

絕緣膜，形成在所述半導體襯底上方以覆蓋所述柵電極；以及

接觸電極，形成在所述絕緣膜中并且連接到除了在所述漏極區和所述源極區之間的柵電極部分之外的柵電極部分。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述柵電極內所述第二區中的所述第一導電類型的分接區。