[發明專利]一種太陽能級直拉單晶硅的連續復投的生產方法

無效

• 申請號: 201110302631.5
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102345157A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 尚偉澤;高潤飛;谷守偉;賈海洋;高樹良;沈浩平;申霖
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 莫琪

1.一種太陽能級直拉單晶硅的連續復投的生產方法，其特征在于，以塊狀原生多晶硅為初裝原料加入坩堝，首次化料后利用復投裝置將顆粒多晶硅原料加入熔硅，經二次化料后進行拉晶操作，完成第一顆單晶的提拉，取出晶棒后；然后利用復投裝置再次向坩堝中投入顆粒多晶硅原料，進行第二顆單晶棒的提拉；依次類推，多次重復復投過程，直至達到坩堝使用壽命上限，以此實現單爐次多顆單晶的連續生產，所述方法包括如下次序步驟：

步驟1、首次裝料：將塊狀多晶硅原料加入石英坩堝，并安置于單晶爐主室中；

步驟2、首次化料：加熱熔化首次裝入的原料；

步驟3、二次加料：將平均粒徑為0.5mm-2.5mm的顆粒狀多晶硅裝入復投器，并將復投器安置于單晶爐副室中；打開閘板閥，復投器降入主室，使復投器投料口距離坩堝中熔硅液面?15-20mm，將復投原料加入熔硅；

步驟4、二次化料：關閉閘板閥，取出復投器，加熱至全部原料熔化；

步驟5、提拉單晶：按照常規方法拉制單晶；

步驟6、取棒：單晶提拉結束后，晶體以450-500mm/h速度緩慢上升冷卻大約120分鐘，然后將晶棒快速升到副爐室充氬氣，取出；

步驟7、復投：晶棒取出后，將裝有平均粒徑為0.5mm-2.5mm的顆粒狀多晶硅的復投器安置于副室，關閉閘板閥；降低單晶爐加熱器功率，使堝中剩余多晶硅料液面結晶；將坩堝轉速緩慢降低到0；打開閘板閥，復投器降入主室，使復投器投料口距離坩堝中結晶液面15-20mm，將復投原料加入坩堝，視復投器裝料量進行若干次復投，直至復投的原料量滿足一次單晶提拉要求為止；

步驟8、化料：加熱熔化由步驟7復投的原料；

步驟9、提拉單晶：工藝同通常的單晶硅提拉工藝；

步驟10、取棒：單晶提拉結束后，經冷卻由單晶爐副室取出；

步驟11、上述步驟7至10可連續實施多次，相鄰兩次間需判斷坩堝及爐臺運行狀況，連續作業將持續至坩堝使用壽命上限；

步驟12.停爐、清爐。