[發明專利]非線性光學晶體氟碳酸鈣鉀

無效

• 申請號: 201110302447.0
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN103031602A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 葉寧;鄒國紅
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B29/10
• 分類號: C30B29/10;C30B9/12;G02F1/355
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種尺寸大于3毫米的單晶體，其化學式KCaCO₃F，屬于六方晶系，空間群為晶胞參數為α＝β＝90°，γ＝120°，z＝1，單胞體積為

2.一種權利要求1的氟碳酸鈣鉀晶體的多晶料的制備方法，其特征在于：將含K、Ca、F和C的化合物原料按適當比例均勻混合研磨后，緩慢升溫300～400℃后，預燒1～5小時；冷卻至室溫，取出研磨；然后在550～650℃下燒結12～20小時，冷卻至室溫即可獲得氟碳酸鈣鉀多晶料。

3.一種權利要求1所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的生長方法，在CO₂氣氛中采用熔鹽法生長，其特征在于：以KF-K₂CO₃為助熔劑生長，KF/K₂CO₃摩爾比為1/2～2/1，以K為基準時溶質與溶劑摩爾比為1/4～1/2，將原料按上述比例混合均勻，升溫700～800℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降溫至600℃，關閉爐子；待樣品冷卻至室溫后，用水洗去助熔劑，即獲得本發明的尺寸為5×4×3mm氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體。

4.一種權利要求1所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的生長方法，在CO₂氣氛中采用熔鹽法生長，其特征在于：采用KF-SrF₂助熔劑體系，KF/SrF₂摩爾比為1/3～3/1，以K為基準時溶質與溶劑摩爾比為1/4～1/2，將原料按上述比例混合均勻，升溫700～800℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，將籽晶固定在籽晶桿的下端與熔體液面接觸開始晶體生長；籽晶桿的旋轉速度為10～20轉/分，降溫至飽和溫度，然后按1～5℃/天的速率緩慢降溫；降溫結束后將晶體提離液面，以10～30℃/小時的速率降至室溫，獲得本發明的尺寸為10×9×7mm氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體。

5.一種權利要求1所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的用途，其特征在于：該非線性光學晶體用于激光器激光輸出的頻率變換。

6.一種權利要求5所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的用途，其特征在于：該非線性光學晶體用于對波長為1.064μm的激光光束產生2倍頻或3倍頻或4倍頻或5倍頻的諧波光輸出。

7.一種權利要求5所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的用途，其特征在于：該非線性光學晶體用于產生波長低于200nm的諧波光輸出。

8.一種權利要求5所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學晶體為用于紫外區的諧波發生器，光參量與放大器件及光波導器件。

9.一種權利要求5所述的氟碳酸鈣鉀非線性光學晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學晶體為從紅外到紫外區的光參量與放大器件。