[發(fā)明專利]帶有基礎模塊和連接模塊的功率半導體模塊

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110302199.X
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102446867A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設計）人: 克里斯蒂安·約布爾;湯姆斯·施托克邁爾;克里斯蒂安·克洛內(nèi)達
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/049
• 分類號: H01L23/049;H01L25/18
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛(wèi)民

1.功率半導體模塊(1)，所述功率半導體模塊具有：電絕緣的殼體(2)、基礎模塊(3)和連接模塊(6)，其中，所述基礎模塊(3)具有基板(10)和通過至少一個絕緣裝置(12)電絕緣地布置在所述基板上的半導體組件(4a/4b)，所述半導體組件分別具有第一導電元件(14a/14b)、布置在所述第一導電元件上的至少一個功率半導體器件(16)以及第一接觸裝置(24)和第二接觸裝置(26)，所述第一接觸裝置用于接觸并且與所述第一導電元件(14a/14b)導電接觸，所述第二接觸裝置用于接觸并且與所述至少一個功率半導體器件(16)導電接觸，并且其中，

所述連接模塊(6)具有帶有至少一個內(nèi)部的連接裝置(40)的絕緣材料成型體(60)，其中，至少一個連接裝置(40)分別構成在半導體組件(4a)的接觸裝置(24a、26a)與另一個半導體組件(4b)的接觸裝置(24b、26b)之間的電接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述連接模塊(6)具有外部接觸元件(140、154、156)，所述外部接觸元件電路適宜地、間接地通過連接機構(54、56)或者直接地與第一接觸裝置(24a/24b)或者與第二接觸裝置(26a/26b)或者與連接裝置(40)連接。

3.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述絕緣材料成型體(60)構造成所述功率半導體模塊(1)的蓋子(62)。

4.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述基礎模塊(3)本身具有框架式的電絕緣的基礎殼體(20)，并且所述基礎殼體(20)具有用于所述半導體組件(4a/4b)或者所述半導體組件的部分的定位機構(202)。

5.根據(jù)權利要求3和4所述的功率半導體模塊，其中，

所述功率半導體模塊(1)的所述電絕緣的殼體(2)僅由所述基礎殼體(20)和所述蓋子(62)構造成。

6.用于制造功率半導體模塊(1)的方法，所述功率半導體模塊具有：電絕緣的殼體(2)、基礎模塊(3)和連接模塊(6)，其特征在于如下方法步驟：

·構造半導體組件(4a/4b)，所述半導體組件分別具有：第一導電元件(14a/14b)、布置在所述第一導電元件上的至少一個功率半導體器件(16)以及與所述第一導電元件(14a/14b)導電接觸的第一接觸裝置(24a/24b)和與所述至少一個功率半導體器件(16)導電接觸的第二接觸裝置(26a/26b)；

·通過借助至少一個絕緣裝置(12)將所述半導體組件(4a/4b)電絕緣地布置在基板(10)上來構造所述基礎模塊(3)；

·構造帶有絕緣材料成型體(60)和至少一個連接裝置(40)的所述連接模塊(6)；

·在半導體組件(4a)的接觸裝置(24a、26a)與另一個半導體組件(4b)的接觸裝置(24b、26b)之間借助連接裝置(40)構成至少一個內(nèi)部的導電連接的情況下，相對于所述基礎模塊(3)布置所述連接模塊(6)。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，

將在兩個半導體組件(4a/4b)的接觸裝置(24a/24b、26a/26b)和所配屬的所述連接裝置(40)之間的導電連接構造為力鎖合連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，

為了構造所述力鎖合連接，在布置基礎模塊(3)和連接模塊(6)時，在所述連接模塊(6)中設置至少一個壓力元件(44)，并且所述壓力元件(44)持續(xù)地施加擠壓力到所配屬的連接元件(40)上并且產(chǎn)生所述連接元件與所配屬的第一接觸裝置和第二接觸裝置(24a/24b、26a/26b)的連接。

9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，

將在兩個半導體組件(4a/4b)的接觸裝置(24a/24b、26a/26b)與所配屬的連接裝置(40)之間的導電連接構造為形狀鎖合的連接。

10.依據(jù)權利要求9所述的方法，其中，

為了構造所述形狀鎖合的連接，在布置基礎模塊(3)和連接模塊(6)時，在所述連接元件(40)和所述接觸裝置(24a/24b、26a/26b)之間設置插塞連接。

11.依據(jù)權利要求6所述的方法，其中，

在所述半導體組件(4a/4b)內(nèi)部將至少一個導電連接，但優(yōu)選將所有的導電連接構造為加壓燒結連接。