[發明專利]一種基于工作頻率可調的超材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201110301883.6 | 申請日： | 2011-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN102544740A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 劉若鵬;趙治亞;繆錫根;李春來 | 申請（專利權）人： | 深圳光啟高等理工研究院 |
| 主分類號： | H01Q15/00 | 分類號： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 工作 頻率 可調 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的制備方法包括以下步驟：
在基材上加工出凹槽陣列；
在每個凹槽內壁加工有連通外部的微孔；
將兩片基材相對粘合，使凹槽對合而成為中空腔體；
將液晶通過微孔注入到中空腔體內，獲得二維超材料。
2.根據權利要求1所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的步驟還包括用樹脂密封住微孔。
3.根據權利要求2所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的步驟還包括將多層二維超材料用機械法固定，制備成三維超材料。
4.根據權利要求1所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述在基材上加工出凹槽陣列之前，還包括選擇所需的基材，并對該基材進行清潔。
5.根據權利要求1或4所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述在基材上加工出凹槽陣列和微孔的方法為刻蝕法。
6.根據權利要求3所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的機械法為：在每層二維超材料的邊緣打孔對齊固定，獲得三維超材料。
7.根據權利要求1所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的液晶為高介電常數的液晶。
8.根據權利要求1或4所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的基材的材質采用的是熱塑性低介電常數的高分子材料。
9.根據權利要求1所述的基于工作頻率可調的超材料的制備方法，其特征在于：所述的腔體為球形、橢球形、立方體、長方體、圓柱體或任意所需的形狀。
10.一種基于工作頻率可調的超材料，其特征在于：包括權利要求1-9任意一項所述的方法制備的超材料。
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