[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池PECVD彩虹片返工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110301650.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102306687A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭進(jìn);劉海平;任哲;劉文峰;羅亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖南紅太陽新能源科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;B08B3/08 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 馬強(qiáng) |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 pecvd 彩虹 返工 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池片的加工,具體的說本發(fā)明是一種晶體硅太陽能電池片等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)彩虹片返工方法,即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備晶體硅太陽能電池片中因放電異常導(dǎo)致的表面有彩虹膜層的電池片的清洗處理方法。
背景技術(shù)
目前,晶體硅太陽能電池片對(duì)外觀要求較高,正常生產(chǎn)中由于設(shè)備穩(wěn)定性原因?qū)е碌腜E鍍膜異常片很難用常規(guī)清洗方法清洗干凈。這些異常片包括色差,斑點(diǎn),膜厚不均,放電異常導(dǎo)致的彩虹片等,其中彩虹片最難清除。這些異常片經(jīng)后工序到成品會(huì)嚴(yán)重影響最終的成品率和合格率。其中彩虹片清洗不徹底會(huì)影響后工序中鋁背場的完整性,嚴(yán)重的會(huì)導(dǎo)致部分鋁背場脫落,從而導(dǎo)致電池片報(bào)廢。
因此,解決電池片生產(chǎn)過程中的PECVD次品率問題,可以有效地提高產(chǎn)品合格率。
目前,已有的返工技術(shù)方案是使用HF清洗液清洗,然后用HCl清洗。由于返工片種類不同,有些部分常規(guī)清洗方案難以清洗干凈,而如果加大HF濃度并保持5-6分鐘清洗時(shí)間,因?yàn)楦邼舛鹊腍F與硅片本身能逐漸反應(yīng),勢必對(duì)硅片表面平整度有影響。從而影響后工序中絲印及成品的合格率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出了一種晶體硅太陽能電池片PECVD彩虹片返工方法,該方法解決了PECVD中出現(xiàn)的返工片問題,降低不合格率,提高成品率。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅太陽能電池PECVD彩虹片返工方法,其特征是,該方法包含以下步驟:
A.用HF清洗液清洗晶體硅太陽能電池片;
B.用高效清洗液針對(duì)性清洗晶體硅太陽能電池片上殘存的彩虹狀膜,所述高效清洗液由H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的體積比例配制;
C.用HCl清洗液晶體硅太陽能電池片。
所述HF清洗液由HF與純水按照12∶100的體積比例配制。
所述HCl清洗液由HCl與去離子水按照1∶4的體積比例配制。
本發(fā)明的原理是利用二種化學(xué)試劑、分三步來去除放電異常的彩虹片以及后續(xù)的去金屬離子清洗:
第一步,用HF液,去除電池片正常Si3N4膜,化學(xué)反應(yīng)式為:
Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F
第二步:用高效清洗液對(duì)硅片上殘留的彩虹狀異物進(jìn)行深度清洗,徹底去除干凈。
第三步:表面清洗干凈的硅片再經(jīng)HCl液,去金屬離子等雜質(zhì)。
上述高效清洗液由H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的體積比例配制。H2O的體積比例為60,HF的體積比例為100,HNO3的體積比例為1。
經(jīng)過以上返工方法處理后的電池片進(jìn)行重新鍍膜,印刷,燒結(jié)后,電池片的轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到正常電池片的水平,而且外觀也與正常電池片無異,達(dá)到了返工清洗的目的。電池片PECVD的不合格率由原來的1%降低到0.05%,從而提升了硅太陽能電池片的合格率和成品率。
具體實(shí)施方式
第一步,用HF液,去除電池片正常Si3N4膜;
第一步具體的工藝過程是:
A、將HF與純水按照12∶100的體積比例,配成HF常規(guī)清洗液;
B、將PECVD返工片放入HF液中,清除正常Si3N4膜;
C、用去離子水漂洗干凈。
第二步:用高效清洗液對(duì)硅片上殘留的彩虹狀異物進(jìn)行深度清洗,徹底去除干凈。
第二步具體的工藝過程是:
A、將H2O∶HF∶HNO3按照60∶100∶1的體積比例,配成高效清洗液。H2O的體積比例為60,HF的體積比例為100,HNO3的體積比例為1;
B、將通過第一步清洗后電池片,放入高效清洗液中。在硝酸的輔助下殘留的痕跡能快速有效的清洗干凈,再經(jīng)去離子水去除表面的酸殘留。
第三步:用HCl清洗液,去除電池片表面金屬離子等雜質(zhì)殘留;
第三步具體的工藝過程是:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





