[發明專利]Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的制備方法

有效

• 申請號: 201110301649.3
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102403117A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 孫繼兵;步紹靜;崔春翔;楊薇;丁賀偉;韓瑞平
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F7/02;H01F1/047;C22C45/00;B22D11/06
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210
• 代理人: 胡安朋

1.Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的制備方法，其特征在于：所說的Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的元素組成式為Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w，式中限定元素組成范圍的符號以原子百分比計滿足：x+y+z+u+v+w＝100，x＝9.0～14.0，y＝45.0～70.5，z＝2.8～18.4，u＝1.1～7.0，v＝3.8～19.0，w＝1.0～21.2，Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1～4種元素組成，其中每種元素占組成式Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w總量的相對含量以原子百分比計為：2.0～4.7％Nb，2.0～5.7％Al，4.0～14.0％Si，0.8～4.0％Cu，1.0～10.1％C，薄帶的厚度為19μm～78μm，主晶相的平均晶粒尺寸是10nm～58nm，采用熔體離心快淬甩帶技術，具體步驟選用下述兩種工藝中的任意一種：

第一種工藝，采用真空電弧熔煉爐或真空感應熔煉爐

第一步，原料配制

按照原料配比Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w，式中限定元素組成范圍的符號以原子百分比計滿足：x+y+z+u+v+w＝100，x＝9.0～14.0，y＝45.0～70.5，z＝2.8～18.4，u＝11～7.0，v＝3.8～19.0，w＝1.0～21.2，Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1～4種元素組成，其中每種元素占組成式Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w總量的相對含量以原子百分比計為：2.0～4.7％Nb，2.0～5.7％Al，4.0～14.0％Si，0.8～4.0％Cu，1.0～10.1％C，稱取上述Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w式中所涉及到的原料：純Sm、純Co、純Fe、純Zr、B-Fe合金、純Nb、純Al，純Si、純Cu及純石墨C粉，由此完成原料配制；

第二步，熔化原料制備母合金鑄錠

將第一步配制好的原料全部放入真空電弧熔煉爐或真空感應熔煉爐坩堝中，熔煉時先對爐體抽真空度到10-2Pa～10-3Pa，爐溫升至高于原料金屬Zr的熔點，直至全部可熔化的原料熔煉均勻并使全部原料形成均勻分布，然后倒入模具中冷卻，即制得Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w母合金鑄錠；

第三步，Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的制備

將第二步制得的Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w母合金鑄錠裝入熔體快淬爐中，重新熔融后在以5m·s^-1～50m·s^-1的圓周速度旋轉的冷卻鉬輥輪或銅輥輪上進行熔體快淬，由此制得Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體；

第二種工藝，采用真空熔煉快淬連續爐

第一步，原料配制

同第一種工藝的第一步；

第二步，Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的制備

將第一步配制好的原料全部放入真空熔煉快淬連續爐的坩堝中，熔煉時先對爐體抽真空度到10^-2Pa～10^-3Pa，爐溫升至高于原料金屬Zr的熔點，直至全部可熔化的原料熔煉均勻并使全部原料形成均勻分布，然后直接在以5m·s^-1～50m·s^-1的圓周速度旋轉的冷卻鉬錕輪或銅輥輪上進行熔體快淬，由此制得Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體。

由上述兩種工藝制得的Sm-Co基非晶納米晶薄帶磁體的元素組成式為Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w、薄帶厚度為19μm～78μm和主晶相的平均晶粒尺寸是10nm～58nm。