[發(fā)明專利]等離子體處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110301545.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-09-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102421238A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山澤陽(yáng)平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H05H1/46 | 分類號(hào)： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備：
具有電介質(zhì)窗的處理容器；
基板保持部，其在所述處理容器內(nèi)保持被處理基板；
處理氣體供給部，其為了對(duì)所述基板實(shí)施希望的等離子體處理，而向所述處理容器內(nèi)供給希望的處理氣體；
RF天線，其為了在所述處理容器內(nèi)通過(guò)電感耦合來(lái)生成處理氣體的等離子體，而設(shè)置在所述電介質(zhì)窗之外；
高頻供電部，其向所述RF天線供給適合所述處理氣體的高頻放電的頻率的高頻電力，
所述RF天線具有在直徑方向隔有間隔地分別配置于內(nèi)側(cè)、中間和外側(cè)的內(nèi)側(cè)線圈、中間線圈和外側(cè)線圈，
所述內(nèi)側(cè)線圈具有單一或串聯(lián)連接的內(nèi)側(cè)線圈段(coil?segment)，
所述中間線圈，在圓周方向被分割，具有并聯(lián)電連接的多個(gè)中間線圈段，
所述外側(cè)線圈，在圓周方向被分割，具有并聯(lián)電連接的多個(gè)外側(cè)線圈段。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述內(nèi)側(cè)線圈段在圓周方向上至少為一周。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述內(nèi)側(cè)線圈段比所述高頻的1/4波長(zhǎng)短。
4.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)外側(cè)線圈段比所述多個(gè)中間線圈段數(shù)量多。
5.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)外側(cè)線圈段，以整體填補(bǔ)圓周方向上的至少一周或其大部分的方式在空間中串列地配置。
6.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)外側(cè)線圈段中的任意一個(gè)比所述高頻的1/4波長(zhǎng)短。
7.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)外側(cè)線圈段具有大致相等的自感。
8.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
分別在所述多個(gè)外側(cè)線圈段流動(dòng)的電流的方向在圓周方向上全部相同。
9.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
分別在所述多個(gè)外側(cè)線圈段流動(dòng)的電流的電流值大致相同。
10.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)中間線圈段，以整體填補(bǔ)圓周方向上的至少一周或其大部分的方式在空間中串列地配置。
11.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)中間線圈段中的任意一個(gè)比所述高頻的1/4波長(zhǎng)短。
12.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述多個(gè)中間線圈段具有大致相等的自感。
13.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
分別在所述多個(gè)中間線圈段流動(dòng)的電流的方向在圓周方向上全部相同。
14.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
分別在所述多個(gè)中間線圈段流動(dòng)的電流的電流值大致相同。
15.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
在所述內(nèi)側(cè)線圈流動(dòng)的電流的方向、在所述中間線圈流動(dòng)的電流的方向和在所述外側(cè)線圈流動(dòng)的電流的方向，在圓周方向上相同。
16.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述內(nèi)側(cè)、中間和外側(cè)的全部線圈段的自感大致相等。
17.如權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述內(nèi)側(cè)線圈、所述中間線圈和所述外側(cè)線圈，在所述高頻供電部側(cè)的第一節(jié)點(diǎn)與接地電位側(cè)的第二節(jié)點(diǎn)之間并聯(lián)電連接。
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