[發明專利]氮化鎵基半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110301444.5
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102420246A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 李哉勛
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種氮化鎵(GaN)基半導體器件，包括：

導電襯底；

AlGaN層，布置在所述導電襯底上；

GaN層，布置在所述AlGaN層上；和

電極層，布置在所述GaN層上，所述電極層形成與所述GaN層的肖特基接觸。

2.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述襯底包括導熱率比藍寶石襯底高的材料。

3.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中襯底包括Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr以及它們的組合中的至少一種。

4.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述襯底和所述AlGaN層形成歐姆接觸。

5.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述AlGaN層是Al_xGa_1-xN層，0＜x≤0.6。

6.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述AlGaN層是摻雜有n型雜質的層。

7.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述GaN層具有單層結構或多層結構。

8.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述GaN層包括未摻雜GaN層和n摻雜GaN層中的至少一種。

9.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述GaN層包括接觸所述電極層的第一GaN層以及布置在所述第一GaN層和所述AlGaN層之間的第二GaN層，

所述第一GaN層是未摻雜層或n摻雜層，以及

所述第二GaN層摻雜有Si和Al中的至少一種。

10.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，其中所述AlGaN層和所述GaN層具有N面極性。

11.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，還包括在所述襯底和所述電極層之間的超晶格結構層。

12.如權利要求11所述的GaN基半導體器件，其中所述GaN層具有多層結構，和

所述超晶格結構層布置在構成所述GaN層的多個層之間。

13.如權利要求1所述的GaN基半導體器件，還包括布置在所述GaN層中的阻擋層圖案。

14.一種形成氮化鎵(GaN)基半導體器件的方法，該方法包括：

在第一襯底上形成GaN層；

在所述GaN層上形成AlGaN層；

在所述AlGaN層上提供第二襯底；

去除所述第一襯底以暴露所述GaN層；和

在所述GaN層的暴露部分上形成電極層，所述電極層形成與所述GaN層的肖特基接觸。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述第一襯底是藍寶石襯底。

16.如權利要求14所述的方法，其中所述GaN層形成為具有單層結構或多層結構。

17.如權利要求14所述的方法，其中所述GaN層包括未摻雜GaN層和n摻雜GaN層中的至少一種。

18.如權利要求14所述的方法，其中形成所述GaN層包括在所述第一襯底上形成第一GaN層；和在所述第一GaN層上形成第二GaN層，

所述第一GaN層是未摻雜GaN層或n摻雜GaN層，以及

所述第二GaN層摻雜有Si和Al中的至少一種。

19.如權利要求14所述的方法，其中所述GaN層形成為具有多層結構，

還包括在構成所述GaN層的多個層之間形成超晶格結構層。

20.如權利要求14所述的方法，其中所述AlGaN層是Al_xGa_1-xN層，0＜x≤0.6。

21.如權利要求14所述的方法，其中所述AlGaN層是n摻雜層。

22.如權利要求14所述的方法，其中所述第二襯底是導電襯底。