[發明專利]帶有基礎模塊和連接模塊的功率半導體模塊

無效

• 申請號: 201110301405.5
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102446866A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 湯姆斯·施托克邁爾;克里斯蒂安·約布爾;克里斯蒂安·克洛內達
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/049
• 分類號: H01L23/049;H01L25/18
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.功率半導體模塊(1)，所述功率半導體模塊具有：電絕緣的殼體(2)、基礎模塊(3)和連接模塊(6)，其中，所述基礎模塊(3)具有基板(10)和通過至少一個絕緣裝置(12)電絕緣地布置在所述基板上的半導體組件(4)，所述半導體組件分別具有第一導電元件(14a/b)、布置在所述第一導電元件上的至少一個功率半導體器件(16)以及第一接觸裝置(24a/b)和第二接觸裝置(26a/b)，所述第一接觸裝置用于接觸并與所述第一導電元件(14a/b)導電接觸，所述第二接觸裝置用于接觸并與所述至少一個功率半導體器件(16)導電接觸，并且其中，

所述連接模塊(6)具有至少一個連接裝置(40)，其中，所述至少一個連接裝置(40)分別構成在半導體組件(4a)的接觸裝置(24a、26a)與另一個半導體組件(4b)的接觸裝置(24b、26b)之間的電接觸。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述連接模塊(6)具有至少一個另外的連接機構(54、56)，所述至少一個另外的連接機構(54、56)電路適宜地與第一接觸裝置(24a/b)或者與第二接觸裝置(26a/b)連接。

3.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其中，

所述至少一個連接裝置(40)和所述至少一個連接機構(54、56)分別分配有外部接觸元件(140、154、156)并且與所述外部接觸元件導電地連接。

4.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述基礎模塊(3)本身具有框架式的電絕緣的基礎殼體(20)，并且所述基礎殼體(20)具有用于所述半導體組件(4a/b)或者所述半導體組件的部分的定位機構(202)。

5.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

至少一個連接元件(40)構造為在多個額定彎曲部位(402、404、406)中的每一個上變形的、三維的、扁平的金屬成型體。

6.用于制造功率半導體模塊(1)的方法，所述功率半導體模塊具有：電絕緣的殼體(2)、基礎模塊(3)和連接模塊(6)，其特征在于如下基本方法步驟：

·構造半導體組件(4a/b)，所述半導體組件分別具有：第一導電元件(14a/b)、布置在所述第一導電元件上的至少一個功率半導體器件(16)以及與所述第一導電元件(14a/b)導電接觸的第一接觸裝置(24a/b)和與所述至少一個功率半導體器件(16)導電接觸的第二接觸裝置(26a/b)；

·通過借助至少一個絕緣裝置(12)將所述半導體組件(4a/b)電絕緣地布置在基板(10)上來構造所述基礎模塊(3)；

·布置并且電路適宜地連接所述連接模塊(6)的所述至少一個連接裝置(40)與所述半導體組件(4a/b)的所配屬的接觸裝置(24b、26a)。

7.依據權利要求6所述的方法，其中，

借助焊接連接來制造在所述至少一個連接裝置(40)和所配屬的所述接觸裝置(24b、26a)之間的電路適宜的連接。

8.依據權利要求7所述的方法，其中，

在布置并且電路適宜地連接所述連接裝置(40)與所配屬的所述接觸裝置(24b、26a)之后，構造為扁平的金屬成型體的所述連接裝置(40)通過在合適的額定彎曲部位(402、404、406)上逐步地彎邊而布置，進而三維地布置在所述功率半導體模塊中。

9.依據權利要求6所述的方法，其中，

除了布置所述至少一個連接裝置(40)外還布置至少一個連接機構(54、56)并且將所述至少一個連接機構電路適宜地與所配屬的接觸裝置(24a、26b)連接。

10.依據權利要求6或9所述的方法，其中，

至少兩個要么是連接機構(54、56)要么是連接裝置(40)的元件在布置和電路適宜地連接到所配屬的所述接觸裝置(24a/b、26a/b)時借助于至少一個連接接片(58)相互連接，并且將所述連接接片(58)在后續過程中移除或割斷。

11.依據權利要求6所述的方法，其中，

所述半導體組件(4a/b)內的至少一個導電連接、但優選所有的導電連接構造為加壓燒結連接。