[發(fā)明專利]一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110301258.1
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102352482A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬步洋;任海棠
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇美特林科特殊合金有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

1)配料：按比例稱取原料電解Ni、金屬Cr和金屬Si；原料純度在99.8％以上，合金成分wt％為：Ni：40～57％，Cr：40～57％，Si：3～10％；

2)鑄造模型的加熱：將真空感應(yīng)爐內(nèi)的加熱爐加熱至1000℃～1100℃，再將鑄造模型放入其內(nèi)加熱至在800～1000℃并保溫，待澆注時使用；

3)熔煉、精密鑄造鑄錠：將稱好的原料放入真空感應(yīng)熔煉爐中，進(jìn)行冶煉，精煉10～15分鐘，當(dāng)合金熔融液體溫度達(dá)到液相線以上50～150℃時進(jìn)行澆注；

4)鑄錠冷卻：澆注完成后取出鑄錠埋入氧化物陶瓷細(xì)砂中緩慢冷卻，待冷卻至室溫時取出鑄錠進(jìn)行機加工；

5)機加工：將冷卻至室溫的合金板坯按尺寸要求進(jìn)行機加工成符合尺寸精度的濺射靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法，其特征在于：所述步驟2)中加熱爐為電阻爐。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法，其特征在于：所述步驟2)中所述鑄造模型為側(cè)面澆注系統(tǒng)的精密鑄造陶瓷模型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法，其特征在于：所述步驟3)中將稱好的原料放入真空感應(yīng)熔煉爐的氧化鎂坩堝中，進(jìn)行冶煉。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種金屬電阻膜用Ni-Cr-Si濺射靶材的制造方法，其特征在于：所述步驟4)中所述氧化物陶瓷細(xì)砂優(yōu)選為氧化硅細(xì)砂。