[發(fā)明專利]自支撐(Al, Ga, In)N制品及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110301148.5
• 申請日: 2002-08-12
• 公開（公告）號: CN102383193A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設計）人: 羅伯特·P·沃多;喬治·R·布蘭德斯;邁克爾·A·蒂施勒;邁克爾·K·凱利
• 申請（專利權）人: 克利公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/40;C30B25/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種形成自支撐(Al，Ga，In)N制品的方法，包括以下步驟：

在外延相容的犧牲模板上沉積單晶(Al，Ga，In)N材料，以形成包括犧牲模板和(Al，Ga，In)N材料之間界面的犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品；和

對犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品進行界面改性以便將犧牲模板與(Al，Ga，In)N材料分離，并得到自支撐(Al，Ga，In)N制品，

其中對犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品進行界面改性的步驟包括用激光能量沖擊界面，并監(jiān)視激光能量的反射率，用于控制界面改性。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述激光能量透過(Al，Ga，In)N傳播到界面上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述激光能量具有的功率密度足以引發(fā)界面材料的化學和/或物理變化，從而弱化相應模板和(Al，Ga，In)N材料的界面結合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中(Al，Ga，In)N材料包括c面GaN，犧牲模板包括c面蘭寶石。

5.根據權利要求4所述的方法，其中掃描圖案包括沿c面GaN的{11-20}方向進行掃描。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在壓力從約10^-6到約10¹⁰托范圍的處理環(huán)境中實施界面改性。

7.根據權利要求1所述的方法，其中對犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品進行界面改性的步驟在自支撐(Al，Ga，In)N制品冷卻到環(huán)境溫度之前進行。

8.根據權利要求1所述的方法，包括在界面上提供中間層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中對犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品進行界面改性的步驟包括用激光能量沖擊界面，所述激光能量具有的光子能量大于(Al，Ga，In)N材料和犧牲模板材料中一種材料的能帶隙，并小于另一種材料的能帶隙。

10.根據權利要求1所述的方法，其中對犧牲模板/(Al，Ga，In)N復合制品進行界面改性的步驟包括將犧牲模板與(Al，Ga，In)N材料部分分離，并且進一步包括將犧牲模板/(Al，Ga，In)N制品冷卻到環(huán)境溫度，以完成犧牲模板與(Al，Ga，In)N材料的分離。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在自支撐(Al，Ga，In)N制品上生長另外的(Al，Ga，In)N。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括形成包括所述自支撐(Al，Ga，In)N制品的微電子裝置或裝置的先驅結構。

13.一種根據權利要求1至10中任一項所述的方法生產的(Al，Ga，In)N制品。