[發明專利]基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法

有效

• 申請號: 201110301093.8
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102507724A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 邵志峰;沈軼;丹尼爾·恰可夫;李小衛;孫潔林;胡鈞
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G01N27/72
• 分類號: G01N27/72
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，包括下列步驟：

通過直流升壓電路對電容充電，然后使電容對電磁線圈放電，電磁線圈中電流上升；

當電磁線圈電流上升至設定水平后，直流穩壓電源開始穩定對電磁線圈供電，從而在電磁線圈外部產生一個穩定磁場；

將磁珠連接于分子一端，將分子另一端連接與基底表面，或者在基底表面連接另一類分子，兩類分子通過特定相互作用連接；

將包括磁珠與基底的樣品置于電磁線圈附近，通過開啟控制電磁線圈電流來控制磁場的開啟與大小，進而控制磁珠所受磁場力的大小；

使用倒置顯微鏡和相機追蹤記錄磁珠位置，從而獲得分子形變以及相互作用信息。

2.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，該方法通過快速驅動電磁線圈產生磁場，對磁珠產生作用力，進而對連接于磁珠上的分子施加一個恒定或可控變化的力，起到拉伸作用，根據控制線圈中電流的大小得到不同大小的作用力。

3.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，磁珠在倒置明場顯微鏡下，其衍射斑紋隨磁珠與物鏡距離變化而改變，記錄磁珠衍射斑紋與磁珠物鏡距離的變化規律，獲得磁珠在受到磁場力前后與物鏡間的距離變化，從而獲得連接于磁珠與基底間的分子受到磁場力后的形變，或者兩類分子之間的相互作用的變化。

4.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，通過使用連接于倒置顯微鏡之上的相機間隔設定時間成像，得到成像區域內多個分子在受到特定外力下隨時間的形變過程以及兩類分子之間的相互作用距離隨時間的變化。

5.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，所述樣品為通過聚合酶鏈式反應制備的DNA樣品。

6.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，所述基底為玻片。

7.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，所述通過直流升壓電路對電容充電，然后使電容對電磁線圈放電步驟為使用直流升壓電路對100微法電容充電至500V，再使電容對電磁線圈放電。

8.根據權利要求1所述的基于磁場力的平行大通量單分子力譜方法，其特征在于，所述直流穩壓電源開始穩定對電磁線圈供電，從而在電磁線圈外部產生一個穩定磁場步驟為使用直流穩壓電源提供8A電流，在5ms內使得電磁線圈產生穩定磁場，對所述磁珠產生20pN作用力。