[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201110300927.3
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102446899A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 大沼卓司;日高憲一;高岡洋道;窪田吉孝;津田浩嗣;石毛清一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/10
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，包括：

反熔絲，所述反熔絲包含柵極絕緣膜、柵電極和第一擴散層；

第二擴散層，所述第二擴散層與所述第一擴散層的導電類型相同，并且借助于器件隔離膜與所述第一擴散層隔離；

柵極布線，所述柵極布線與所述柵電極集成為一體并且在所述器件隔離膜上延伸；和

公共接觸，所述公共接觸將所述柵極布線耦合到所述第二擴散層，

其中所述柵電極由被注入有與所述第一擴散層相同的導電類型的雜質的半導體構成，并且所述第二擴散層僅耦合到所述公共接觸。

2.根據權利要求1的半導體器件，包括：

多個反熔絲；和

控制晶體管，所述控制晶體管安裝在所述反熔絲的每一個中以控制所述反熔絲中的寫入，

其中所述第二擴散層、所述柵極布線和所述公共接觸分別安裝在所述反熔絲的每一個中。

3.根據權利要求2的半導體器件，包括：

包含所述反熔絲的反熔絲形成區域，

其中僅所述反熔絲、所述第二擴散層、所述柵極布線和所述公共接觸形成在襯底中的所述反熔絲形成區域中，并且

其中多個控制晶體管形成在控制晶體管形成區域中，所述控制晶體管形成區域是與所述反熔絲形成區域分離的區域。

4.根據權利要求1的半導體器件，

其中所述器件隔離膜使包含所述第二擴散層的第二擴散層形成區域與其它器件隔離，并且包含形成在所述第二擴散層形成區域上的虛設柵極絕緣膜，并且

其中在形成為通過所述器件隔離膜之后，所述柵極布線在所述第二擴散層形成區域上的位置處、借助于所述虛設柵極絕緣膜在襯底上延伸。

5.根據權利要求4的半導體器件，

其中，所述虛設柵極絕緣膜比所述柵極絕緣膜厚。

6.根據權利要求5的半導體器件，包括控制所述反熔絲中的寫入的控制晶體管，

其中所述虛設柵極絕緣膜與所述控制晶體管的柵極絕緣膜的膜厚度相同。

7.根據權利要求4的半導體器件，

其中所述柵極布線由半導體形成，而且至少定位在所述虛設柵極絕緣膜上的部分的導電類型與所述第二擴散層的導電類型相反。

8.根據權利要求1的半導體器件，

其中所述器件隔離膜使包含所述第二擴散層的第二擴散層形成區域與其它器件隔離，

其中從平面視圖看時，所述器件隔離膜定位在所述柵極布線和所述第二擴散層之間，并且

其中所述公共接觸與所述柵極布線、所述器件隔離膜和所述第二擴散層接觸。

9.根據權利要求8的半導體器件，包括：

蝕刻停止膜，所述蝕刻停止膜形成在所述器件隔離膜、所述第二擴散層和所述柵極布線上；和

層間電介質膜，所述層間電介質膜形成在所述蝕刻停止膜上，

其中所述公共接觸穿過所述層間電介質膜和所述蝕刻停止膜。