[發(fā)明專利]有效薄層電荷密度獲取方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110300022.6 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102353888A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡志遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有效 薄層 電荷 密度 獲取 方法 | ||
1.一種有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，包括：
選取兩個具有不同溝道寬度的晶體管，所述晶體管除了溝道寬度之外的其它參數(shù)對應(yīng)相同，并且使所述每一個晶體管承受相同的輻射；
分別測量每一個晶體管在輻射前后的閾值電壓值以及各晶體管的溝道寬度；
獲取每一個晶體管在輻射前后的閾值電壓偏移值；
根據(jù)所述兩個晶體管的閾值電壓偏移值之差以及其對應(yīng)的溝道寬度，獲取沿STI側(cè)墻的有效薄層電荷密度。
2.如權(quán)利要求1所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述有效薄層電荷密度反比于所述兩個晶體管之間的溝道寬度之差，并且所述有效薄層電荷密度正比于所述兩個晶體管的閾值電壓偏移值之差和這兩個晶體管的溝道寬度的乘積。
3.如權(quán)利要求2所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述有效薄層電荷密度為柵氧化層單位電容、所述兩個晶體管的閾值電壓偏移值之差和所述兩個晶體管溝道寬度的乘積與電子電量、耗盡層最大寬度和所述兩個晶體管之間的溝道寬度之差的乘積的兩倍的比值。
4.如權(quán)利要求1所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，當(dāng)所述兩個晶體管的溝道寬度相差3個數(shù)量級或以上時(shí)，所述有效薄層電荷密度正比于所述兩個晶體管的閾值電壓偏移值之差以及較小的溝道寬度的乘積。
5.如權(quán)利要求4所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述有效薄層電荷密度為柵氧化層單位電容、所述兩個晶體管的閾值電壓偏移值之差和較小的溝道寬度的乘積與電子電量和耗盡層最大寬度的乘積的兩倍的比值。
6.如權(quán)利要求1所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述晶體管除了溝道寬度之外的其它參數(shù)相同包括所述晶體管的耗盡層最大寬度和柵氧化層厚度對應(yīng)相同。
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