[發明專利]固體攝像裝置及其制造方法和電子設備有效
| 申請號: | 201110299781.5 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102446933A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 渡邊一史 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 及其 制造 方法 電子設備 | ||
1.一種固體攝像裝置,其包括:
基板,在所述基板中形成有多個像素,所述像素包括根據接收光的量來產生信號電荷的光電轉換部;
布線層,其形成在所述基板的表面側上;
表面電極焊盤部,其形成在所述布線層中;
遮光膜,其形成在所述基板的背面側上;
焊盤部基層,其與所述遮光膜形成在同一層中;
片上透鏡層,其形成在所述遮光膜和所述焊盤部基層的與所述基板一側相反的光入射側上;
背面電極焊盤部,其形成在所述片上透鏡層的上方;
貫通孔,其形成為貫通所述片上透鏡層、所述焊盤部基層和所述基板,以暴露所述表面電極焊盤部;以及
貫通電極層,其形成在所述貫通孔中,并連接所述表面電極焊盤部和所述背面電極焊盤部。
2.如權利要求1所述的所述固體攝像裝置,其中,所述貫通電極層電連接所述表面電極焊盤部、所述背面電極焊盤部和所述焊盤部基層。
3.如權利要求2所述的所述固體攝像裝置,其中,所述遮光膜包括像素間遮光膜和無效像素遮光膜,所述像素間遮光膜在相鄰的所述像素之間遮光,所述無效像素遮光膜用于為所述多個像素之間的無效像素區域遮光。
4.如權利要求3所述的所述固體攝像裝置,其中,所述像素間遮光膜和所述無效像素遮光膜彼此電連接。
5.如權利要求4所述的固體攝像裝置,其中,所述像素間遮光膜、所述無效像素遮光膜和所述焊盤部基層彼此電連接。
6.如權利要求1-5中任一權利要求所述的固體攝像裝置,其中,所述貫通孔包括第一開口部和第二開口部,所述第一開口部形成為使得所述表面電極焊盤部暴露于所述光入射側,所述第二開口部形成為比所述第一開口部具有更大的直徑,并使得所述焊盤部基層暴露于所述光入射側。
7.如權利要求3-5中任一權利要求所述的固體攝像裝置,其中,所述背面電極焊盤部形成為延伸至所述無效像素遮光膜的上方。
8.一種固體攝像裝置的制造方法,其包括以下步驟:
在基板中形成多個像素,每個所述像素設置有根據接收光的量來產生信號電荷的光電轉換部;
在所述基板的表面側上形成布線層,所述布線層具有表面電極焊盤部和多層的布線;
在所述布線層上的同一層中形成焊盤部基層和遮光膜;
在所述焊盤部基層和所述遮光膜的與所述基板一側相反的光入射側上形成片上透鏡層;
形成貫通孔,所述貫通孔從所述片上透鏡層起貫通所述焊盤部基層,并到達所述表面電極焊盤部;
在所述貫通孔中形成貫通電極層,并同時在所述片上透鏡層上形成與所述表面電極焊盤部電連接的背面電極焊盤部;且
處理所述像素上方的所述片上透鏡層的表面,以形成片上透鏡。
9.如權利要求8所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,所述遮光膜包括像素間遮光膜和無效像素遮光膜,所述像素間遮光膜形成在用于在相鄰的所述像素之間遮光的區域處,所述無效像素遮光膜形成在用于為所述多個像素之間的無效像素區域遮光的區域處。
10.如權利要求9所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,所述像素間遮光膜和所述無效像素遮光膜形成為彼此電連接。
11.如權利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,所述像素間遮光膜、所述無效像素遮光膜和所述焊盤部基層形成為彼此電連接。
12.如權利要求8-11中任一權利要求所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,形成所述貫通孔的所述步驟包括:
形成第一開口部,使得所述表面電極焊盤部暴露于所述光入射側,且
形成第二開口部,使得所述第二開口部比所述第一開口部具有更大的直徑,且使得所述焊盤部基層暴露于所述光入射側。
13.如權利要求9-11中任一權利要求所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,所述背面電極焊盤部形成為延伸至所述無效像素遮光膜的上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





