[發明專利]導體圖案的形成方法

有效

• 申請號: 201110299778.3
• 申請日: 2011-10-08
• 公開（公告）號: CN102956438A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 蘇國輝;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種半導體制程，尤其涉及一種導體圖案的形成方法。

背景技術

隨著科技的進步，電子元件的制造必須提高積集度，以符合電子元件輕、薄、短、小的趨勢。提高積集度的方法，除了縮小半導體元件本身的尺寸之外，也可經由減小半導體元件之間的距離來達成。然而，不論是縮小半導體元件其本身的尺寸，或是縮小半導體元件間的距離，都會發生一些制程上的問題。

以制作半導體元件中的導體圖案為例，現有技術是先形成一整層的導體層，再在導體層上形成光阻層，而后藉由對光阻層進行微影制程與蝕刻制程，以形成圖案化光阻層。然后，以圖案化光阻層作為掩模來圖案化導體層，而完成導體圖案的制作。當半導體尺寸愈來愈小，導體圖案尺寸亦會相對地縮小，而使得導體圖案的高寬比(aspect?ratio)會愈來愈大，如此將使得導體圖案的制作更加困難。此外，以微影蝕刻方式來形成導體圖案具有步驟繁復的缺點，使得半導體元件的制程效率難以提升。

發明內容

本發明提供一種導體圖案的形成方法，具有簡化的制程步驟。

本發明提供一種導體圖案的形成方法。在底層上形成種層。以能量射線對種層的部分表面進行照射處理，使得種層包括多個經照射區域與多個未經照射區域。對種層的經照射區域進行轉化處理。進行選擇性成長制程，以在種層的未經照射區域上生長導體圖案。移除種層的經照射區域，使導體圖案彼此電性絕緣。

在本發明的一實施例中，上述的轉化處理使得經照射區域的導電性小于未經照射區域的導電性。

在本發明的一實施例中，上述的種層包括金屬層或摻雜層。

在本發明的一實施例中，上述的種層包括鎢層、鈦層或硅層。

在本發明的一實施例中，上述的種層的材料與導體圖案的材料相同。

在本發明的一實施例中，上述的種層的材料與導體圖案的材料不同。

在本發明的一實施例中，上述的能量射線包括電子束線或激光束線。

在本發明的一實施例中，上述的轉化處理包括絕緣化處理。

在本發明的一實施例中，上述的轉化處理包括氧化處理或氮化處理。

在本發明的一實施例中，上述的選擇性成長制程包括選擇性鎢成長制程或選擇性硅成長制程。

在本發明的一實施例中，上述的移除種層的經照射區域的方法包括回蝕刻制程。

基于上述，在本發明的導體圖案的形成方法中，是藉由對種層的部分表面進行照射處理與轉化處理，以形成經照射區域與未經照射區域，接著利用選擇性成長制程對于經照射區域與未經照射區域的選擇性，在未經照射區域的種層上形成導體圖案。換言之，本發明是使用能量射線定義出經照射區域與未經照射區域，使得導體圖案形成在未經照射區域上，以及經照射區域對應于導體圖案之間的空間。因此，本發明無需使用到繁復的微影蝕刻步驟，而可以簡單的制程步驟來形成具有適當尺寸與構形的導體圖案。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1E為依照本發明的一實施例的一種導體圖案的形成方法的上視流程示意圖。

圖2A至圖2E分別為沿圖1A至圖1E的I-I’線的剖面示意圖。

附圖標記：

100：底層

110：種層

110a：表面

112：經照射區域

114：未經照射區域

120：導體圖案

CT：轉化處理

IT：照射處理

SGP：選擇性成長制程

具體實施方式

圖1A至圖1E為依照本發明的一實施例的一種導體圖案的形成方法的上視流程示意圖，以及圖2A至圖2E分別為沿圖1A至圖1E的I-I’線的剖面示意圖。請同時參照圖1A與圖2A，首先，在底層100上形成種層110。在本實施例中，底層100例如是諸如硅基底等基底或絕緣層。種層110例如是諸如硅層等導電層，諸如鎢層或鈦層等金屬層，或經摻雜硅層等摻雜層。種層110的形成方法例如是物理氣相沉積制程(PVD)、化學氣相沉積制程(CVD)或原子層沉積制程(ALD)。