[發明專利]存儲器字線高度的控制方法

有效

• 申請號: 201110299630.X
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102427057A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 張振興;奚裴;程江偉;江紅;肖培;熊磊;黃莉;齊龍茵;王百錢
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3213
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體設計及制造領域，更具體地說，本發明涉及一種存儲器字線高度控制方法以及采用了該存儲器字線高度控制方法的存儲器制造方法。

背景技術

對于存儲器(例如閃存)，字線及尖角(horn)的高度是至關重要的。圖1示意性地示出了存儲器結構中字線及尖角高度的示意圖。如圖1所示，柵極多晶硅1與字線WL之間布置有隔離區2，其中，字線WL一般也由多晶硅形成。圖中，第一高度ht1示意性地示出了字線WL的高度，第二高度ht2示意性地示出了尖角H的高度。

為了增大字線WL及尖角H的高度，在現有的存儲器制造方法中，往往通過減少字線WL的多晶硅刻蝕步驟的刻蝕時間來使得字線WL及尖角H的高度得以提升。但是，現有技術的這種減少刻蝕時間的方法很有可能帶來形成多晶硅殘留物的問題，由此會進一步影響存儲器器件的工作性能。

因此，希望能夠提出一種能夠在不產生字線多晶硅殘留的情況下提升字線以尖角的高度的方法。

發明內容

本發明的一個目的是針對現有技術的不足，提出一種能夠在不產生字線多晶硅殘留的情況下提升字線及其尖角的高度的控制方法以及采用了該存儲器字線高度控制方法的存儲器制造方法。

根據本發明的第一方面，提供了一種存儲器字線高度控制方法，其包括：字線多晶硅涂覆步驟，用于在柵極多晶硅以及隔離區上布置字線多晶硅；氧化層生長步驟，用于在所述字線多晶硅上自然生長成氧化層，其中所述氧化層包括第二部分和第一部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆蓋了所述柵極多晶硅、所述隔離區以及最終的字線區域；氧化層刻蝕步驟，用于對氧化層進行刻蝕；字線多晶硅刻蝕步驟，用于對字線多晶硅進行刻蝕。

優選地，在所述存儲器字線高度控制方法中，所述字線多晶硅刻蝕步驟使得所述柵極多晶硅以及所述隔離區暴露出來。

優選地，在所述存儲器字線高度控制方法中，所述氧化層刻蝕步驟刻蝕了部分字線多晶硅。

優選地，在所述存儲器字線高度控制方法中，在所述氧化層刻蝕步驟中，所述第二部分和所述第一部分的的材料是SiO₂(以不同區域的厚度不同而加以區別)，使得所述第一部分下方的字線多晶硅比所述所述第二部分下方的字線多晶硅更多得被刻蝕。或者，可選地，在所述氧化層刻蝕步驟中，所述第二部分和所述第一部分因為選擇比的作用使得所述第一部分OX1下方的字線多晶硅被部分刻蝕，而所述第二部分OX2下方的字線多晶硅未被刻蝕。

優選地，在所述存儲器字線高度控制方法中，在所述氧化層刻蝕步驟中，刻蝕多晶硅的速率要快于刻蝕所述氧化層的速度。

優選地，在所述存儲器字線高度控制方法中，所述字線多晶硅刻蝕步驟之后得到的字線高度可得到250A-600A的改善。

通過采用根據本發明第一方面所述的存儲器字線高度控制方法，本發明能夠在不產生字線多晶硅殘留的情況下提升字線及其尖角的高度。

根據本發明的第二方面，提供了一種采用了根據本發明第一方面所述的存儲器字線高度控制方法的存儲器制造方法。

由于采用了根據本發明第一方面所述的存儲器字線高度控制方法，因此，本領域技術人員可以理解的是，根據本發明第二方面的存儲器制造方法同樣能夠實現根據本發明第一方面所述的存儲器字線高度控制方法所實現的技術效果。即，本發明能夠在不產生字線多晶硅殘留的情況下提升字線以尖角的高度。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了存儲器結構中字線及尖角高度的示意圖。

圖2示意性地示出了根據本發明實施例的存儲器字線高度控制方法的氧化層生長步驟之后的結構示意圖。

圖3示意性地示出了根據本發明實施例的存儲器字線高度控制方法的氧化層刻蝕步驟之后的結構示意圖。

圖4示意性地示出了根據本發明實施例的存儲器字線高度控制方法的字線多晶硅刻蝕步驟之后的結構示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

根據本發明的一個具體實施例，存儲器字線高度控制方法下述具體步驟：

字線多晶硅涂覆步驟，用于在柵極多晶硅1以及隔離區2上布置字線多晶硅P。