[發明專利]輸氣裝置無效
| 申請號: | 201110299629.7 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102312222A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 王旭東 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造工藝,且特別涉及腔室周邊的輸氣裝置。
背景技術
在半導體制作過程中,往往需要將反應氣體輸入至腔室中,與晶片進行反應。通常情況下,這種輸氣裝置暴露在常溫中,并且不存在任何溫度控制設備,這使得所輸送的氣體存在在室溫中液化的可能性。
以腔室LAM?TCP9400和腔室LAM?TCP9600為例。參考圖1,輸氣裝置暴露在室溫中,其中所運輸的溴化氫(HBr)和氯化硼(BCL3)很容易和空氣中的水汽發生反應,從而干擾所運輸氣體的氣流穩定以及形成冷凝,影響反應氣體與芯片的正常反應,進而嚴重影響生產效率及產品良率。在實際生產中,LAMTCP9400的輸氣裝置中所發生的溴化氫(HBr)冷凝造成了大量的閃存產品的異常。
發明內容
本發明提出一種輸氣裝置,有效地避免了所運輸氣體的冷凝,并且實施簡單,應用方便,成本低廉,較為明顯地節約了生產成本和工藝時間,提高了生產效率。
為了實現上述技術目的,本發明提出一種輸氣裝置,至少包括:輸氣管道,用于運輸反應氣體;加熱裝置,用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱。
可選的,所述反應氣體為在常溫下容易液化或冷凝的氣體。
可選的,所述反應氣體為溴化氫或氯化硼。
可選的,所述加熱裝置為貼附于所述干燥管道外側的加溫帶。
可選的,通過控制所述加溫帶貼附于所述干燥管道外側的纏繞面積,或通過控制加溫帶自身的溫度,實現所述加熱裝置對所述干燥管道中惰性氣體的溫度調節。
可選的,所述加熱裝置的溫度為35至40攝氏度。
本發明的有益效果為:通過對運輸過程中的反應氣體進行加熱,升高反應氣體的溫度,從而有效地避免了反應氣體在運輸過程中產生冷凝,并且結構簡單,實施方便,成本低廉,易于有效地利用現有的機臺設備,從而節省了生產成本,提高了生產效率。
附圖說明
圖1為現有腔室的結構示意圖;
圖2為本發明輸氣裝置一種實施方式的剖面結構示意圖。
具體實施方式
發明人發現,為了不影響生產效率,延長干燥機械握爪的時長通常不太現實,而為了實現對機械握爪進一步的徹底干燥,可通過改善其干燥溫度來實現。事實上,現有生產流程中,對機械握爪的清洗和干燥通常都是在常溫下進行的,特別是干燥過程,而發明人經過多次試驗發現,提高干燥溫度能夠有效增強機械握爪的干燥效果。
下面將結合具體實施例和附圖,對本發明輸氣裝置進行詳細闡述。
參考圖2,本發明還提供了輸氣裝置的一種具體實施方式,至少包括:
輸氣管道110,用于運輸反應氣體;
加熱裝置120,用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱。
具體來說,輸氣管道110可采用現有工具臺中所設計的氣體管道。所運輸的反應氣體通常為在常溫下容易液化或冷凝的氣體,例如,其具體可為溴化氫或氯化硼。
在一種實施方式中,加熱裝置120可采用貼附于輸氣管道110外側的加溫帶,對輸氣管道110中所運輸的反應氣體進行加熱。在實際應用過程中,可根據實際生產需要,對加熱裝置120的溫度進行調節而實現所述反應氣體的加熱溫度,例如,可將加熱裝置120的溫度設置為35攝氏度至40攝氏度,從而能夠明顯地改善加熱后的反應氣體較容易出現的冷凝問題,提高氣體傳輸的穩定性。在具體實現中,調節加熱裝置120對反應氣體的加熱溫度,可通過控制加溫帶貼附于輸氣管道110外側的纏繞面積來實現,也可通過控制加溫帶的溫度來調節。
本領域技術人員應能理解,在上述各實施方式中,例如氣體輸送、加熱等工藝的具體實現和步驟并不對本發明機輸氣裝置的發明構思造成限制,上述各工藝步驟中可采用但并不限于現有的常規工藝參數、原料及設備。
相較于現有技術,本發明輸氣裝置通過對所運輸的反應氣體預先進行加熱,然后再將其通入反應腔室,不僅有效地避免了反應氣體在處于常溫環境的運輸管道中容易產生的冷凝現象,提高了氣體運輸的穩定性,增加了實際參與腔室反應的氣體含量,改善了產品良率,并且結構簡單,實施方便,易于有效地利用現有的機臺設備,從而節省了生產成本,提高了生產效率。
本發明雖然已以較佳實施例公開如上,但其并不是用來限定本發明,任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和范圍內,都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出可能的變動和修改,因此,凡是未脫離本發明技術方案的內容,依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾,均屬于本發明技術方案的保護范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海宏力半導體制造有限公司,未經上海宏力半導體制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110299629.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





