[發明專利]一種改善納米陣列薄膜超疏水穩定性的方法

無效

• 申請號: 201110299349.6
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102312226A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 李剛
• 申請（專利權）人: 華東交通大學
• 主分類號: C23C16/56
• 分類號: C23C16/56
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張靜

1.一種改善納米陣列薄膜超疏水穩定性的方法，其特征在于：包括以下步驟

1）清洗以去除超疏水納米陣列薄膜材料的污染物、吸附物或表面的氧化物；

2）進行等離子體清洗，以提高納米陣列薄膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性；

3）等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進行預熱，至400?~650℃，通入六氟環氧丙烷和聚合引發劑磺酰基氟化丁烷氣體，氣體流量之比為六氟環氧丙烷流量：磺酰基氟化丁烷氣體流量=(24：3)?~?(24：12)?sccm，調整射頻功率，射頻功率值80~150?W，真空度為60~120?Pa，六氟環氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺酰基氟化丁烷作用下聚合成聚四氟乙烯沉積在納米陣列薄膜上。

2.如權利要求1所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩定性的方法，其特征在于：步驟1）采用超聲波對納米陣列薄膜進行清洗，先以丙酮為清洗劑，時間0.5~5?min，然后以去離子水為清洗劑，清洗5~10?min，用無水乙醇去水，再用吹風機將薄膜吹干備用。

3.如權利要求1所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩定性的方法，其特征在于：等離子體清洗步驟為：將真空室放氣后，打開真空室，把步驟1）中清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關閉真空室，開始抽氣，當系統真空度穩定后，向真空室內通入氬氣；氬氣的流量穩定后，打開射頻電源板壓開關，調整射頻功率為30~70?W，調節匹配電容，使發射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗1~20?min。

4.如權利要求1或2或3所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩定性方法，其特征在于：所述的超疏水納米陣列薄膜材料為化學氣相沉積制備的峰房狀、柱狀和島狀的陣列碳納米管薄膜，或氣相運輸制備的棒狀、錐狀和釘狀的陣列納米氧化鋅，或陽極氧化制備的多孔納米陣列氧化鋁薄膜，或飛秒激光在硅、二氧化硅、玻璃、金屬及其合金表面刻蝕出的納米陣列結構薄膜。