[發(fā)明專利]一種降低雙大馬士革氮化硅工藝顆粒的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110299091.X
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102446833A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設計）人: 顧梅梅;侯多源;許雋;王科
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種降低雙大馬士革氮化硅工藝顆粒的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟A、在硅片上形成銅的種子層；

步驟B、在所述銅的種子層上沉積覆蓋一層銅的淀積層；

步驟C、對銅的淀積層進行研磨；

步驟D、將硅片送入反應腔室中，利用等離子條件下的NH₃氣體對銅的淀積層的表面進行預處理，以清除在所述銅的淀積層的表面所形成的銅的氧化物；

步驟E、在反應腔室中，利用雙大馬士革氮化硅淀積工藝生成位于所述銅的淀積層上方的一層刻蝕阻擋層；

步驟F、用NF₃氣體清潔反應腔室；

步驟G、在反應腔室中通入N₂O氣體，用等離子條件下的N₂O氣體除去反應腔室中所殘余的氫和氟。

2.根據(jù)權利要求1所述的降低雙大馬士革氮化硅工藝顆粒的處理方法，其特征在于，等離子條件下，反應腔室內(nèi)的氣壓為DDN薄膜工藝的淀積氣壓，氣體噴頭離硅片的距離為450~600mils，產(chǎn)生等離子體的射頻的功率為0~2000W，N₂O的氣體流量為3000~7000sccm。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，在反應腔室中通入N₂O氣體的同時還通入有N₂氣體，且N₂氣體的流量為3000~7000sccm。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在刻蝕阻擋層上生長氧化層的步驟。