[發明專利]超結橫向擴散金屬氧化物半導體及其制造方法在審
| 申請號： | 201110298660.9 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102315273A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發明（設計）人： | 唐樹澍 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超結橫向擴散金屬氧化物半導體，其漏極漂移區包括擴散阱和超結結構，其特征在于，所述超結結構位于擴散阱上方，其深度小于擴散阱深度。
2.如權利要求1所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體，其特征在于，所述超結結構深度寬度比小于3。
3.如權利要求1所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體，其特征在于，所述擴散阱深度大于5微米。
4.如權利要求1所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體，其特征在于，該超結橫向擴散金屬氧化物半導體的擊穿電壓大于700伏特。
5.一種超結橫向擴散金屬氧化物半導體制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供半導體襯底；
采用光刻及高溫擴散工藝，在半導體襯底中形成擴散阱；
在擴散阱上方形成淺槽隔離層；
采用離子注入工藝，在擴散阱中形成超結結構，所述超結結構深度小于擴散阱深度；
通過后續常規工藝，完成超結橫向擴散金屬氧化物半導體制作。
6.如權利要求5所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體制作方法，其特征在于，所述超結結構深度寬度比小于3。
7.如權利要求5所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝參數包括：離子注入濃度為1E12/cm2～1E13/cm2；
如權利要求5所述的超結橫向擴散金屬氧化物半導體制作方法，其特征在于，所述擴散阱深度大于5微米。
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