[發(fā)明專利]晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)及晶圓測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110298658.1
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102339816A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎坡
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R31/26
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種可用于晶圓可接受性測試以及晶圓射頻測試的晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)、以及采用了該晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)的晶圓測試方法。

背景技術(shù)

在晶圓加工處理工藝中，為了確保半導(dǎo)體器件的質(zhì)量，需要對晶圓執(zhí)行WAT(Wafer?Acceptance?Test，晶圓可接受性測試)測試以及射頻(RF)測試之類的各種測試。

晶圓可接受性測試指的是在半導(dǎo)體硅片在完成所有制程工藝后，針對硅片上的各種測試結(jié)構(gòu)所進(jìn)行的電性測試。通過對晶圓可接受性測試的測試數(shù)據(jù)的分析，我們可以發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體制程工藝中的問題，幫助制程工藝進(jìn)行調(diào)整。一般來說，晶圓可接受性測試的測試參數(shù)分為兩類。一類是和器件相關(guān)的，包括MOS的開啟電壓，飽和電流，關(guān)閉電流，擊穿電壓等。另一類是和工藝相關(guān)的，包括接薄層電阻接觸電阻，柵氧化層電性厚度，隔離等。而射頻測試指的是用于對表達(dá)器件RF特性的S參數(shù)進(jìn)行測量的測試。

在現(xiàn)有技術(shù)的晶圓測試中，往往需要利用不同的測試鍵結(jié)構(gòu)來分別進(jìn)行晶圓可接受性測試和射頻測試。具體地說，如圖1所示，其中意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于射頻測試的測試鍵結(jié)構(gòu)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于射頻測試的測試鍵結(jié)構(gòu)具有橫向布置的兩個接口板：第一接口板Port1和第二接口板Port2。其中第一接口板Port1具有三個測試鍵Gd、S1、Gd，第二接口板Port2具有三個測試鍵Gd、S2、Gd，兩個接口板的Gd均接地，從而可知實際上這些Gd測試鍵是連接在一起的，測試鍵S1和S2用于輸入測試信號。所述測試鍵結(jié)構(gòu)與MOS晶體管的連接關(guān)系如圖1所示，MOS晶體管的柵極G連接至測試鍵S1，MOS晶體管的漏極D連接至測試鍵S2，而襯底B和源極S則都連接至接地端測試鍵Gd。

但是，圖1所示的用于射頻測試的測試鍵結(jié)構(gòu)無法用于晶圓可接受性測試。這是因為，圖1所示的射頻測試結(jié)構(gòu)用的是兩列“接地端-測試信號端-接地端”結(jié)構(gòu)，而晶圓可接受性測試采用的是13引腳(測試鍵)的橫向排列結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行晶圓可接受性測試時，對于量產(chǎn)產(chǎn)品，除了特殊產(chǎn)品(如高壓器件)外，所有的測試和模擬結(jié)構(gòu)都放在切割溝道上，而由于切割溝道較窄(寬度一般小于80微米)，無法放下圖1所示的用于射頻測試的測試鍵結(jié)構(gòu)(大于300微米)；所以，現(xiàn)有技術(shù)用于射頻測試的測試鍵結(jié)構(gòu)并不能用于晶圓可接受性測試，同時由于現(xiàn)有的射頻測試結(jié)構(gòu)和晶圓可接受性測試是兩套不同的測試結(jié)構(gòu)，處于晶片上的不同位置，當(dāng)把可接受性測試結(jié)果和射頻測試結(jié)果直接做關(guān)聯(lián)(correlation)的時候，會產(chǎn)生誤差，這將會影響模型的精確度和分析結(jié)果的準(zhǔn)確度。

另一方面，圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于晶圓可接受性測試的測試鍵結(jié)構(gòu)；如圖所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于晶圓可接受性測試的測試鍵結(jié)構(gòu)包括13個橫向排列的測試鍵1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13?？梢钥闯觯捎谶@些測試鍵的大小和距離(pitch)都是固定的(pitch一般為200微米)，而射頻測試針與針之間的距離一般是150微米或者120微米，因此所示的普通的晶圓可接受性測試的測試鍵結(jié)構(gòu)在不經(jīng)過改造的情況下用于射頻測試的話，測試針會扎到待測器件或者空白區(qū)域，從而無法進(jìn)行測試。所以，現(xiàn)有技術(shù)的用于晶圓可接受性測試的測試鍵結(jié)構(gòu)并不匹配射頻測試。

由于兩種測試鍵結(jié)構(gòu)的不匹配，使得普通晶圓可接受性測試結(jié)構(gòu)無法測量射頻參數(shù)，同時普通晶圓可接受性測試結(jié)構(gòu)與射頻參數(shù)測量使用的是不同位置的兩個器件，從而造成分析時候產(chǎn)生一定的誤差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種能夠通用于晶圓可接受性測試以及晶圓射頻測試的晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)及晶圓測試方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)，其包括多個測試鍵，所述多個測試鍵排成一行，并且所述多個測試鍵在排列方向上具有不均勻的寬度。

優(yōu)選地，在上述晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)中，所述多個測試鍵之間的距離相同。

可替換地，優(yōu)選地，在上述晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)中，所述多個測試鍵之間的距離不完全相同。

優(yōu)選地，在上述晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)中，所述多個測試鍵在與排列方向垂直的方向上的長度相同。

優(yōu)選地，在上述晶圓測試鍵結(jié)構(gòu)中，所述多個測試鍵被分為第一組和第二組，所述第一組的測試鍵與所述第二組的測試鍵間隔布置，并且所述第一組的測試鍵在排列方向上的寬度相同，并且所述第二組的測試鍵在排列方向上的寬度相同。