[發明專利]高壓氮化物LED器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110298596.4
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102354699A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 肖德元;于洪波;于婷婷;程蒙召;張汝京
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種高壓氮化物LED器件的制造方法，包括如下步驟：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有N型氮化物成核層和外延層；

蝕刻所述外延層形成N型接觸電極臺階；

依次蝕刻所述N型氮化物成核層，形成LED隔離溝槽，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底的表面；

在所述N型接觸電極臺階上制作N型接觸電極，在所述外延層上制作P型接觸電極，形成多個LED單元芯片；

對所述多個LED單元芯片進行光電性能測試，并根據所述測試結果選擇性的對所述多個LED單元芯片進行激光劃片，以將多個LED單元芯片分組切割成至少一個LED模塊；

對所述LED模塊進行封裝，所述LED模塊中的各LED單元芯片通過引線進行串聯和/或并聯，形成高壓氮化物LED器件。

2.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：在所述襯底上形成N型氮化物成核層之前，還包括：在所述襯底上形成氮化物緩沖層。

3.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述外延層包括依次形成于所述N型氮化物成核層上的多量子阱有源層、P型氮化物層和P型限制層。

4.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：形成所述外延層之后，在所述外延層上沉積透明導電層，蝕刻所述外延層之前先蝕刻所述透明導電層。

5.根據權利要4所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述P型接觸電極位于所述透明導電層之上。

6.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述N型接觸電極和P型接觸電極的材質為鎳金合金。

7.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：對所述多個LED單元芯片進行光電性能測試之前，還包括：減薄所述襯底。

8.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：對所述LED模塊進行板上晶片直裝。

9.根據權利要求1所述高壓氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：形成高壓氮化物LED器件之后，還包括：在所述高壓氮化物LED器件上涂覆熒光粉硅膠。

10.一種利用權利要求1所述的高壓氮化物LED器件的制造方法形成的高壓氮化物LED器件，包括：

至少一個高壓LED模塊，每個高壓LED模塊包括至少兩個LED單元芯片，其中，每個LED單元芯片具有N型接觸電極和P型接觸電極，各LED單元芯片通過N型接觸電極和P型接觸電極進行串聯和/或并聯；以及

一基板，所述基板表面設置有基板電極，所述基板電極與所述高壓LED模塊通過引線鍵合。