[發明專利]晶圓背面清潔設備以及晶圓背面清潔方法

有效

• 申請號: 201110298519.9
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102427047B
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 王劍;毛智彪;戴韞青
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B5/02;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及晶圓背面清潔設備 以及晶圓背面清潔方法。

背景技術

半導體芯片制造中，使用光刻機進行曝光來定義電路圖形。當晶圓背面有 顆粒污染的時候，在曝光的過程中，會產生局部區域失焦，使得圖形定義不完 整造成缺陷。

根據污染物發生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物 及氧化物。粒子附著的機理主要有靜電力，范德華力，化學鍵等。

在光刻工藝中，為了防止光阻涂布過程有機物光阻污染晶圓背面，通過在 背面噴射有機溶劑，以化學溶解清除光阻污染；圖1即示出了根據現有技術的 晶圓背面清潔設備的示意圖。

如圖1所述，根據現有技術的晶圓背面清潔設備包括一個背面沖洗器3。在 向晶圓1的正面涂覆光阻5的過程中，背面沖洗器3對支撐在支撐部件4上的 晶圓1的背面的溶劑2(具體地說是有機溶劑)進行清洗，以去除由于化學鍵等 溶劑2引起的光阻污染。

但是，對于靜電力附著的顆粒，有機溶劑并不能完全有效去除；并且，晶 圓背面顆粒進而降低曝光失焦。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種清 除晶圓背面顆粒以降低曝光失焦的晶圓背面清潔設備以及晶圓背面清潔方法。

根據本發明的第一方面，提供了一種晶圓背面清潔設備，其包括：布置在 晶圓下方的氣體發射噴射器，所述氣體發射噴射器配置有朝向晶圓下表面的噴 氣嘴，用于向晶圓下表面噴射氣體。

優選地，在上述晶圓背面清潔設備中，還包括沿晶圓半徑方向布置的移動 軌道，其中所述氣體發射噴射器布置在所述移動軌道上，以便在晶圓半徑方向 上移動。優選地，所述氣體發射噴射器噴射的氣體是空氣。

優選地，在上述晶圓背面清潔設備中，所述氣體發射噴射器被并入光阻涂 布設備。

優選地，在上述晶圓背面清潔設備中，還包括布置在晶圓下方的背部清洗 器，用于向晶圓下表面噴射有機溶劑。

優選地，在上述晶圓背面清潔設備中，所述氣體發射噴射器和所述背部清 洗器相對于晶圓中心對稱布置。

通過利用根據本發明的第一方面的晶圓背面清潔設備，提供了一個向晶圓 下表面噴射氣體的氣體發射噴射器，從而可以清除晶圓背面顆粒以降低曝光失 焦。進一步，還配置了向晶圓下表面噴射有機溶劑的背部清洗器，并優選地使 氣體發射噴射器和背部清洗器相對于晶圓中心對稱布置，從而使得兩者互不干 擾。

根據本發明的第二方面，提供了一種晶圓背面清潔方法，其包括：在晶圓 下方布置氣體發射噴射器，并利用所述氣體發射噴射器的朝向晶圓下表面的噴 氣嘴向晶圓下表面噴射氣體。

優選地，上述晶圓背面清潔方法還包括：將所述氣體發射噴射器布置在沿 晶圓半徑方向布置的移動軌道上，以便在晶圓半徑方向上移動。優選地，所述 氣體發射噴射器噴射的氣體是空氣。

優選地，在上述晶圓背面清潔方法中，在執行光阻涂布的同時執行所述晶 圓背面清潔方法。

優選地，上述晶圓背面清潔方法還包括：在晶圓下方布置背部清洗器，以 便向晶圓下表面噴射有機溶劑。

優選地，在上述晶圓背面清潔方法中，使所述氣體發射噴射器和所述背部 清洗器相對于晶圓中心對稱布置。

同樣的，通過利用根據本發明的第二方面的晶圓背面清潔方法，提供了一 個向晶圓下表面噴射氣體的氣體發射噴射器，從而可以清除晶圓背面顆粒以降 低曝光失焦。進一步，還配置了向晶圓下表面噴射有機溶劑的背部清洗器，并 優選地使氣體發射噴射器和背部清洗器相對于晶圓中心對稱布置，從而使得兩 者互不干擾。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整 的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示出了根據現有技術的晶圓背面清潔設備的示意圖。

圖2示出了根據本發明第一實施例的晶圓背面清潔設備的示意圖。

圖3示出了根據本發明第二實施例的晶圓背面清潔設備的示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構 的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或 者類似的標號。

具體實施方式