[發(fā)明專利]實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110298506.1
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102354698A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 饒金華;巨曉華;周雪梅
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法，所述CMOS圖像傳感器為4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器，包括復(fù)位晶體管、傳輸晶體管、源跟隨晶體管和行選通晶體管，所述傳輸晶體管和復(fù)位晶體管之間為浮置擴(kuò)散區(qū)，所述浮置擴(kuò)散區(qū)位于阱區(qū)內(nèi)；

其特征在于，包括：

向所述復(fù)位晶體管輸入第一時序脈沖信號，控制所述復(fù)位晶體管在有脈沖信號時開啟以使所述浮置擴(kuò)散區(qū)復(fù)位；

向所述浮置擴(kuò)散區(qū)所在的阱區(qū)輸入第二時序脈沖信號，所述第二時序脈沖信號的脈沖時序與所述第一時序脈沖信號的脈沖時序相同，所述第二時序脈沖信號與外界光強(qiáng)匹配，以使所述浮置擴(kuò)散區(qū)的結(jié)電容為隨外界光強(qiáng)變化的可變電容。

2.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法，其特征在于，在所述浮置擴(kuò)散區(qū)為N型摻雜區(qū)、所述阱區(qū)為P型阱區(qū)時，所述第一時序脈沖信號為正脈沖信號；

在所述外界光強(qiáng)大于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為正脈沖信號；在所述外界光強(qiáng)小于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為負(fù)脈沖信號；在所述外界光強(qiáng)等于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為零。

3.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法，其特征在于，在所述浮置擴(kuò)散區(qū)為P型摻雜區(qū)、所述阱區(qū)為N型阱區(qū)時，所述第一時序脈沖信號為負(fù)脈沖信號；

在所述外界光強(qiáng)大于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為負(fù)脈沖信號；在所述外界光強(qiáng)小于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為正脈沖信號；在所述外界光強(qiáng)等于預(yù)定光強(qiáng)時，所述第二時序脈沖信號為零。

4.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法，其特征在于，還包括：向所述傳輸晶體管輸入第三時序脈沖信號，控制所述傳輸晶體管在有脈沖信號時開啟，以使感光二極管收集的光生電荷傳入所述浮置擴(kuò)散區(qū)。

5.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)高動態(tài)CMOS圖像傳感器的方法，其特征在于，還包括：在感光二極管收集的光生電荷傳入所述浮置擴(kuò)散區(qū)后，控制所述行選通晶體管開啟，所述行選通晶體管通過所述源跟隨晶體管讀出輸出信號。