[發明專利]新型襯底的生產方法、外延片及半導體器件無效
| 申請號： | 201110298402.0 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102412124A | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發明（設計）人： | 顧昱;鐘旻遠;林志鑫;陳斌 | 申請（專利權）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 襯底 生產 方法 外延 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.新型襯底的生產方法，所述新型襯底包括襯底本體，其特征在于，在襯底本體表面設置有單晶硅層；所述的單晶硅層為三氯硅烷與氫氣在900℃～1050℃下反應，反應生成的單晶硅沉積在襯底本體表面形成。
2.根據權利要求1所述的新型襯底的生產方法，其特征在于，所述的單晶硅層厚度為2-5μm。
3.根據權利要求1所述的新型襯底的生產，其特征在于，所述的三氯硅烷與氫氣通入反應腔內，氫氣的流速為120-170slm/s。
4.根據權利要求1所述的新型襯底的生產，其特征在于，所述的襯底本體為N型。
5.根據權利要求4所述的新型襯底，其特征在于，所述的N型襯底本體摻雜有砷、磷及銻中的至少一種元素。
6.根據權利要求1所述的新型襯底，其特征在于，所述的襯底本體為P型。
7.根據權利要求6所述的新型襯底，其特征在于，所述的P型襯底本體摻雜有硼。
8.外延片，其特征在于，包括權利要求1至7任一權利要求所述方法生產的新型襯底。
9.半導體器件，其特征在于，包括權利要求8所述的外延片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
