[發(fā)明專利]高效能透明導電玻璃模塊制程之技術無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110298211.4 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103022241A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效能 透明 導電 玻璃 模塊 技術 | ||
技術領域
本發(fā)明是一種可提升光入射透明玻璃基板和光散射角度分布之機率,降低光的反射率,有效提高太陽能電池效率,其主要目的:采用簡易制作絨狀結構抗反射層之技術,改善光在進入透明玻璃基板反射的現(xiàn)象,提高光進入玻璃的機率,以增加太陽能電池發(fā)電效率。?
背景技術
目前,世界太陽能產(chǎn)線所使用的透光層玻璃,若需要較高穿透率玻璃,成本相當高,但再怎么制作透明導電層,都只是在減少光入射玻璃后的損失,而對光在未進入玻璃基板前的損失并無幫助,若能在玻璃基板表面,以簡單制成增加一層有絨毛結構之抗反射層,即可提高光進入玻璃基板的總體比例,這部分的提升,遠比提高透明導電層的效果好,便能大大提升整體太陽能的效率。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是利用制作有絨狀結構抗反射層之技術,加入有絨狀結構抗反射層于玻璃受光邊的表面,以調(diào)整其光折射率方式來增加光穿透率;以絨狀結構增加薄膜表面積,提高光入射后散射角度分布,增加光行進距離;且由于絨狀結構并非于透明導電層上,所以可以降低前電極與吸收層間因為接面不平整所導致的缺陷問題,提升太陽能電池發(fā)電效率。?
吾將本發(fā)明搭配附圖,詳細說明如下:圖1為本發(fā)明高效能透明導電玻璃模塊制程之技術示意圖,由圖中可得知,取得一玻璃基板(1),在其受光面鍍制一層折射率約為1.0<n<1.5的透明抗反射薄膜層(2),之后再對其抗反射層進行蝕刻,產(chǎn)生凹凸絨狀結構表面(2-1),接著在背光面鍍制上一層透明導電薄膜層(3),即完成一個高效能透明導電玻璃模塊。?
圖2為本發(fā)明各層折射率示意圖與反射率公式表,由圖中可得知,空氣的折射率n~1.0、玻璃基板(1)其折射率大致約為n~1.5,而本發(fā)明是利用增加一層透明薄膜層(2)來填補玻璃基板與空氣間的折射率差異。依公式(4)來看(R、n分別為反射率、折射率),當以減少兩層材料間的折射率差,可以降低其反射率來達到與抗反射層有相同的成效,降低光反射率。所以選用1.0<n<1.5的透明薄膜材料當作此抗反射層,能有效增加入射光之利用率。?
圖3為本發(fā)高效能透明導電玻璃模塊制程之光行進路線之示意圖,當光走一般型透明導電玻璃路線(6),最上層未有抗反射層,所以有較高反射率,當光至透明導電層時,雖然有絨狀結構增加光散色比例,但因為此結構表面粗糙(3-1),易于此處形成不必要之缺陷,影響光行進;當光走本發(fā)明之高效能透明導電玻璃路線(7),最上層有絨狀結構(2-1)之抗反射層,增加光接觸表面積及減少反射率,可以提升光之穿透率及行近距離,當光至透明導電層時無接面缺陷問題,大大提升光折射的機率,能有效增加入射光之利用率,提升太陽能產(chǎn)業(yè)進爭能力。?
以上說明,對本發(fā)明而言只是說明性的,非限制性的,本領域普通技術人員理解,在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。?
附圖說明:下面為結合附圖對本發(fā)明進一步說明,圖1為本發(fā)明高效能透明導電玻璃模塊制程之技術示意圖,圖2為本發(fā)明各層折射率示意圖與反射率公式表,圖3為本發(fā)高效能透明導電玻璃模塊制程之光行進路線之示意圖,?1?…玻璃2?…抗反射層2-1.抗反射層之絨狀結構3?…透明導電性層3-1.透明導電性層之絨狀結構4?…反射率穿透率公式表5?…吸收層6?…光于一般型透明導電玻璃之行進路線7?…光于本發(fā)明高效能透明導電玻璃之行進路線。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于吉富新能源科技(上海)有限公司,未經(jīng)吉富新能源科技(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110298211.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





