[發(fā)明專利]一種電弧熔煉與熔滲法制備CuWCr復(fù)合材料的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110297797.2 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102321816A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖鵬;張亞梅;梁淑華 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號： | C22C1/00 | 分類號： | C22C1/00;C22C9/00;C22C27/06;C22C30/02 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電弧 熔煉 法制 cuwcr 復(fù)合材料 方法 | ||
1.一種電弧熔煉與熔滲法制備CuWCr復(fù)合材料的方法，其特征在于，該方法按照以下操作步驟實施：
CuCr熔滲坯的制備
按質(zhì)量百分比稱取25％～66％的Cu粉、34％～75％的Cr粉并放入混料機中混合3～6小時，將混好的粉料在400MPa下進行模壓或在260MPa下進行冷等靜壓，將壓制好的坯料置于真空燒結(jié)爐內(nèi)，在真空度不小于10-2Pa的真空環(huán)境下升溫至900℃～1050℃，燒結(jié)60分鐘～120分鐘，得到CuCr熔滲坯；
W骨架的制備
將W粉壓制成坯料，坯料的孔隙率控制在35％～40％，將坯料置于真空燒結(jié)爐內(nèi)，在真空度不小于10-2Pa的真空環(huán)境下升溫至1050℃～1500℃，燒結(jié)90分鐘～150分鐘，使其燒結(jié)成骨架；
電弧熔煉及后處理
a、將制備好的的W骨架置于自耗電極電弧熔煉爐水冷銅坩堝底部，然后在W骨架上放置制備好的CuCr熔滲坯，在真空度不小于10-3Pa的真空環(huán)境下，調(diào)節(jié)熔煉電流不小于1200A，熔煉CuCr熔滲坯，使CuCr熔滲坯在電弧高溫下熔化后熔滲到W骨架中，在水冷銅坩堝內(nèi)得到CuWCr鑄錠；
b、最后對CuWCr鑄錠進行機加工。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在CuCr熔滲坯的制備中Cu粉的純度不小于99％，Cr粉的純度不小于99.7％。
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