[發(fā)明專利]簡易制作抗反射層之技術無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110297699.9 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103022240A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 簡易 制作 反射層 技術 | ||
技術領域:
本發(fā)明是一種可大大提升光入射透明玻璃基板之機率,降低光的反射率,提高太陽能電池效率,其主要目的:采用簡易制作抗反射層之技術,改善光在進入透明玻璃基板反射的現象,提高光進入玻璃的機率,以增加太陽能電池發(fā)電效率。
背景技術
目前,世界太陽能產線所使用的透光層玻璃,若需要較高穿透率玻璃,成本相當高,但再怎么制作透明導電層,都只是在減少光入射玻璃后的損失,而對光在未進入玻璃基板前的損失并無幫助,若能在玻璃基板表面,以簡單制成增加一層有效的抗反射層,提高光進入玻璃基板的總體比例,這部分的提升,遠比提高透明導電層的效果好,便能大大提升整體太陽能的效率。?
發(fā)明內容
本發(fā)明主要是利用簡易制作抗反射層之技術,以加入抗反射層于玻璃受光邊的表面,調整其光折射率方式來增加光穿透率,提升太陽能電池發(fā)電效率。先選擇一個透明玻璃或透明導電玻璃,在其玻璃基板背面(受光面)鍍制一層折射率約為1.0<n<1.5的透明抗反射薄膜層,減少空氣與玻璃接面之間的折測率n差異,以降低光入射玻璃時的反射率,提高光入射的總比例。
實施方法
吾將本發(fā)明搭配附圖,詳細說明如下:?圖1為本發(fā)明簡易制作抗反射層之技術示意圖,由圖中可得知,先選用一個已有透明導電薄膜層(2)的玻璃基板(1),在其背面(受光面)鍍制一層折射率約為1.0<n<1.5的透明抗反射薄膜層(3),之后就以一般方法各別鍍制吸收層(4)、背電極層(5),即完成一個高效能太陽能電池。
圖2為本發(fā)明各層折射率示意圖與反射率公式表,由圖中可得知,空氣的折射率n~1.0、玻璃基板(1)其折射率大致約為n~1.5,而本發(fā)明是利用增加一層透明薄膜層(3)來填補玻璃基板與空氣間的折射率差異。依公式(6)來看(R、n分別為反射率、折射率),當以減少兩層材料間的折射率差,可以降低其反射率來達到與抗反射層有相同的成效,降低光反射率。所以我們選用1.0<n<1.5的透明薄膜材料當作此抗反射層,能有效增加入射光之利用率,提升太陽能產業(yè)進爭能力。?
以上說明,對本發(fā)明而言只是說明性的,非限制性的,本領域普通技術人員理解,在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本發(fā)明的保護范圍之內。?
附圖說明:下面為結合附圖對本發(fā)明進一步說明,?圖1為本發(fā)明簡易制作抗反射層之技術示意圖,圖2為本發(fā)明各層折射率示意圖與反射率公式表。?
圖標主要符號說明:1?…玻璃2?…透明導電性層3?…抗反射層4?…吸收層5?…背電極層6?…反射率穿透率公式表。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于吉富新能源科技(上海)有限公司,未經吉富新能源科技(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110297699.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種制備肌氨酸氧化酶的方法及應用
- 下一篇:一種新型海上救撈裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





