[發明專利]設計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜

無效

• 申請號: 201110297688.0
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103014658A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 戴嘉男;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46;C23C16/458
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• 代理人: 暫無信息

1.一種設計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜，其PECVD腔體內部設有傳動輪軸及真空Pump，且也有Showerhead氣流孔及RF電極，此外也有最重要的是本發明加熱平板，其加熱平板的加熱方式是用micro?heater進行加熱，故可以讓加熱平板本身為均勻加熱，此外這個加熱平板下有一組線性馬達軸承，這個馬達是架設于腔體下，利用其Port與馬達之間緊密結合而成，當加熱平板欲作升降時，可以由電腦界面將馬達開啟并作升降，其方式主要是當TCO玻璃與金屬平板一起放入Carrier內，并傳送到PECVD腔體后，其加熱平板利用馬達控制軸承作升降，由于玻璃與金屬平板一起接觸到加熱平板，此時加熱的方式有傳導熱及輻射熱兩種，可以讓玻璃均勻升溫，且不易有玻璃翹曲的可能，隨后當要開始制程時，其加熱平板可以再作上升動作，使其玻璃與電極產生一適當的間距，此間距可依制程需要來做改變，而當RF?power?supply開啟的時后，這個間距就可以得到均勻電漿，并可進行制程，當完成制程后，其加熱平板則是透過線性馬達軸承作下降動作，并讓Carrier可以順利傳出，此發明兼顧著玻璃加熱均勻不易翹曲外，也有讓玻璃與電極產生適當的間距，以便進行電漿制程，故可以達到均勻的硅薄膜，并提高整體太陽能硅薄膜發電效率。

2.根據權利要求1所述的一種計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜，其加熱平板內設有線性馬達軸承，此線性馬達軸承與腔體port是緊閉一起，故不會造成腔體在抽真空時有漏氣的可能，并可以達到腔體內部真空值。

3.??根據權利要求1所述的一種計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜，其加熱平板內部所設計的線性馬達軸承，其內部有一組micro?heater，其可以針對加熱平板進行加熱，且其micro?heater是為傳導熱，故加熱平板在加熱恰當時間后，其溫度為均勻，故可以當玻璃與金屬平板加熱時，可以讓玻璃達到均勻的加熱，以便能夠進行制程。

4.??根據權利要求1所述的計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜，其加熱平板兩側設有彈簧軸承，其彈簧軸承可以透過電腦界面作升降的動作，此升降動作主要是要讓加熱平板作升降，可以將玻璃頂升到離電極有一適當的間距，可以依制程需求來作調整，并可以當RF?power?supply開啟時得到均勻的電漿，以便進行硅薄膜鍍膜。

5.??根據權利要求1所述的計加熱平板作升降動作以進行硅薄膜鍍膜，其玻璃在加熱平板頂升后，其加熱平板與金屬平板及玻璃接觸，故玻璃不會有翹曲狀況，且在鍍膜時，因有一固定間距，故氣流孔流入氣體到showerhead后，擴散到腔體內部，此時固定的間距可以讓RF?power?supply開啟電漿，并且可以得到均勻電漿進行鍍膜，完成后，此加熱平板可以作下降動作，并讓玻璃可以傳出到出口端破真空，來完成制程，本發明的設計，可以讓玻璃有一均勻的加熱，且可以有一恰當的電極間距，故能夠得到均勻的硅薄膜，并且可以提高太陽能硅薄膜電池的發電效率。