[發明專利]多晶硅制造裝置

無效

• 申請號: 201110297677.2
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102745690A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 丁允燮;金根鎬;尹汝均;金鎮成
• 申請（專利權）人: 硅科創富有限公司
• 主分類號: C01B33/02
• 分類號: C01B33/02
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種多晶硅制造裝置，其特征在于，包括：

反應管，在其內部發生硅析出反應；

流動氣體供應部，向上述反應管內的硅顆粒供應流動氣體；以及

在上述反應管內部發生硅析出反應時使反應溫度保持恒定的機構。

2.根據權利要求1所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述機構包括：

加熱器，向上述反應管內部供熱，引發上述硅顆粒的硅析出反應；

電源供應部，向上述加熱器供電；以及

控制部，控制上述電源供應部，以便在上述反應管內部發生硅析出反應期間，使上述反應管內部的溫度保持恒定。

3.根據權利要求2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

在上述反應管內的內部溫度發生變化時，上述控制部控制上述電源供應部。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

包括用于檢測上述反應管內的溫度變化的溫度測量部。

5.根據權利要求4所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述溫度測量部包括溫度測量裝置、覆蓋上述溫度測量裝置的外殼以及與上述外殼保持間隔地包裹上述外殼的保護管。

6.根據權利要求5所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

在上述外殼內部設有多個或單個上述溫度測量裝置。

7.根據權利要求5或6所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

上述溫度測量裝置與測量上述加熱器的最高溫度的區域對應地安裝。

8.根據權利要求4或5所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

上述溫度測量部包括配置于上述反應管外側的溫度傳感器。

9.根據權利要求8所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

上述溫度傳感器的個數是多個，上述多個溫度傳感器相互保持著規定間隔配置在上述反應管外側。

10.根據權利要求9所述的多晶硅制造裝置，其特征在于：

對上述多個溫度傳感器測量的溫度求出平均溫度值，當平均溫度值比預先設定的基準溫度值低時，通過上述電源供應部使上述反應管內的溫度上升。