[發(fā)明專利]一種Mn摻雜AlN稀磁半導(dǎo)體納米棒陣列的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110297036.7
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN102304699A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳榮;婁陽;姜楠楠;任銀拴;簡基康;李強(qiáng);李錦;孫言飛
• 申請（專利權(quán)）人: 新疆大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C16/34
• 分類號(hào): C23C16/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Mn摻雜AlN稀磁半導(dǎo)體納米棒陣列的制備方法：采用無催化劑輔助下化學(xué)氣相沉積法，其特征在于,?無水AlCl₃、無水MnCl₂和NH₃氣分別作為Al源、Mn源和N源，以硅片和石墨紙作為收集產(chǎn)物的襯底，表面沒有催化劑；在硅襯底上得到摻雜Mn的AlN納米棒陣列；具體包括以下步驟：先將盛有無水AlCl₃（純度98%）的坩堝置于水平管式爐的上游距入口10?cm處，盛有無水MnCl₂（純度99.99%）的坩堝放在距Al源坩堝20?cm的下游；二者按照質(zhì)量比7:1稱重；再使用機(jī)械泵和擴(kuò)散泵對系統(tǒng)抽真空，使?fàn)t內(nèi)真空度抽至9×10^-3?Pa以下；然后通入100?cm³/min(sccm)的Ar氣并對系統(tǒng)以8?℃/min的速度開始加熱；當(dāng)溫度達(dá)到900?℃時(shí)，通入流量為200?sccm的NH₃氣，反應(yīng)4小時(shí)；最后關(guān)掉氨氣，保持氬氣流量不變，自然冷卻至室溫，在硅襯底上得到摻雜Mn的AlN納米棒陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所用生長裝置是管式爐。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，不使用催化劑。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的真空度為9×10^-3?Pa。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的Ar氣流量為100?sccm，NH₃氣流量為200?sccm。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，生長溫度為900?℃。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的無水AlCl₃粉末與無水MnCl₂粉末的純度分別是98%和99.99%，并按照質(zhì)量比7:1稱重。

8.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的Al源坩堝和Mn源坩堝相距20?cm；硅襯底與Mn源坩堝相距1和2?cm。