[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110296948.2
• 申請日: 2011-10-08
• 公開（公告）號: CN102446921A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 金眞求
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體存儲器件，包括：

柵極絕緣層，形成在半導體襯底的第一區域和第二區域之上，其中所述第一區域用于形成選擇晶體管，所述第二區域用于形成存儲器單元；

用于所述選擇晶體管和所述存儲器單元的第一導電層圖案，形成在所述第一區域和所述第二區域之上的柵極絕緣層之上；

電介質層，形成在所述第一區域和所述第二區域之上的第一導電層圖案之上；

第二導電層圖案，形成在用于所述存儲器單元的第一導電層圖案之上的電介質層上；以及

選擇線，具有比所述第二導電層圖案更低的電阻并且耦合到用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第二導電層圖案還形成在所述第一區域中的用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案上的電介質層上。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，還包括：第一層間電介質層，用于將所述選擇線與所述第一區域中形成在用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案上的第二導電層圖案絕緣。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：間隔物，形成在所述第一區域和所述第二區域中的每個區域中的第一導電層圖案、電介質層和第二導電層圖案的側壁上。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：輔助線，所述輔助線具有比所述第二導電層圖案更低的電阻并且耦合到所述選擇線。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中所述輔助線由金屬形成。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中所述輔助線包括鎢(W)、鈷(Co)或鎳(Ni)或金屬硅化物層。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第二導電層圖案具有多晶硅層和金屬硅化物層的層疊結構。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述選擇線包括金屬。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

形成在所述半導體襯底的第一區域中的所述選擇晶體管的結；以及

耦合到所述結的公共源極線，

其中所述選擇線由與所述公共源極線的材料基本上相同的材料制成。

11.一種制造半導體存儲器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底之上層疊第一導電層、電介質層和第二導電層；

通過刻蝕所述第二導電層、所述電介質層和所述第一導電層，形成用于選擇晶體管和存儲器單元的第一導電層圖案和第二導電層圖案；

刻蝕用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案之上的第二導電層圖案，使得露出所述電介質層；

在半導體襯底之上形成第一層間電介質層以填充所述第二導電層圖案的刻蝕部分；

刻蝕所述第一層間電介質層和所述電介質層以露出用于所述選擇晶體管的所述第一導電層圖案；以及

通過用與所述第二導電層圖案的材料相比具有更低電阻的材料填充所述電介質層和所述第一層間電介質層的刻蝕部分，形成耦合到所述第一導電層圖案的選擇線。

12.根據權利要求11所述的方法，其中當通過刻蝕所述第二導電層圖案露出電介質層時，露出的電介質層的寬度與用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案的寬度基本上相同或者基本上比用于所述選擇晶體管的第一導電層圖案的寬度更窄。

13.根據權利要求11所述的方法，還包括：在刻蝕所述第二導電層圖案之前，在所述第二導電層圖案、所述電介質層和所述第一導電層圖案的側壁上形成間隔物。

14.根據權利要求13所述的方法，其中當刻蝕所述第二導電層圖案時，使用所述間隔物和所述電介質層作為刻蝕停止層。

15.根據權利要求11所述的方法，其中在所述半導體襯底之上形成第一層間電介質層包括：

形成第一絕緣層以填充所述第二導電層圖案的刻蝕部分；

對所述第一絕緣層進行拋光以露出所述第二導電層圖案；以及

在包括所述第二導電層圖案的第一絕緣層上形成第二絕緣層。