[發明專利]一種超材料介質基板及其加工方法

有效

• 申請號: 201110296919.6
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103013042A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 劉若鵬;趙治亞;繆錫根;林云燕
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08K7/26;C08K9/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超材料介質基板的加工方法，其特征在于，包括以下步驟，

101.制備介孔二氧化硅；

102.制備介孔二氧化硅-環氧樹脂復合材料；

103.將介孔二氧化硅-環氧樹脂復合材料熱壓成超材料介質基板。

2.根據權利要求1所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟101中，所述制備介孔二氧化硅包括以下步驟，

1011.將鹽酸溶液與聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物置于四口燒瓶中，加熱攪拌均勻；

1012.將正硅酸乙酯加熱攪拌均勻，緩慢注入上述混合溶液中；

1013.將溶液靜置后放入水熱反應釜中晶化，將晶化的沉淀過濾、洗滌、干燥后置于馬沸爐內煅燒，得到介孔二氧化硅。

3.根據權利要求2所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1011中，所述鹽酸溶液的濃度控制在1-5mol/L。

4.根據權利要求2所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1012中，所述正硅酸乙酯加熱的溫度控制在30-60℃。

5.根據權利要求2所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1013中，所述晶化溫度控制在90-120℃，晶化時間控制在20-30h。

6.根據權利要求2所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1013中，所述煅燒溫度控制在450-650℃，煅燒時間控制在5-10h。

7.根據權利要求1所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟102中，所述制備介孔二氧化硅-環氧樹脂復合材料包括以下步驟，

1021.將介孔二氧化硅疏水改性，將介孔二氧化硅置于燒杯中，加入硅烷偶聯劑，用超聲波分散后加熱攪拌均勻，離心、洗滌后得到改性后的介孔二氧化硅；

1022.將環氧樹脂、環氧樹脂稀釋劑加熱，邊攪拌邊加入改性后的介孔二氧化硅、甲基六氫苯酰，除去溶劑得到介孔二氧化硅-環氧樹脂復合材料。

8.根據權利要求7所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1021中，所述硅烷偶聯劑為γ-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，加入硅烷偶聯劑的質量比為0.1％-1.2％。

9.根據權利要求7所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1022中，所述加入改性后介孔二氧化硅與環氧樹脂的質量比為60-80∶40-20。

10.根據權利要求7所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1022中，所述甲基六氫苯酐的加入量為環氧樹脂加入量的1％-45wt％。

11.根據權利要求7所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟1022中，所述環氧樹脂稀釋劑為丙酮、苯、甲苯、二甲苯。

12.根據權利要求1所述的超材料介質基板的加工方法，其特征在于，所述步驟103中，所述熱壓的溫度為50-370℃，熱壓的壓力為5-50MPa。

13.一種超材料介質基板，其特征在于，所述介質基板由改性后的介孔二氧化硅與環氧樹脂復合而成，所述改性后的介孔二氧化硅與環氧樹脂的質量比為60-80∶40-20。