[發(fā)明專利]一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110296847.5 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102503377A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張金利 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | C04B35/10 | 分類號: | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人: | 米文智 |
| 地址: | 050051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 強度 半導(dǎo)體 封裝 陶瓷材料 及其 制作方法 | ||
1.一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于:原料按質(zhì)量百分比由以下物質(zhì)組成:玻璃粉15%~25%???著色劑5%~15%??余量為氧化鋁粉料;原料中氧化鋁粉料的含量不低于70%;著色劑由TiO2和Cr2O3組成。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,所述氧化鋁粉料為α相,純度大于99.9%,粉體粒度小于1μm,比表面積為3~10m2/g。
3.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,玻璃粉中各個物質(zhì)的質(zhì)量比為:Li2O:SiO2:MgO:MnO2:Y2O3=0.5~1.5:2~6:1~3:1~4:0.5~1.5。
4.如權(quán)利要求1或3所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,玻璃粉中各個物質(zhì)的質(zhì)量比為:Li2O:SiO2:MgO:MnO2:Y2O3=1:4:2:3:1。
5.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,著色劑中各個物質(zhì)的質(zhì)量比為:TiO2:Cr2O3=0.5~1.5:?0.5~1.5。
6.如權(quán)利要求1或5所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,著色劑中各個物質(zhì)的質(zhì)量比為:TiO2:Cr2O3=1:1。
7.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,原料中玻璃粉與著色劑的質(zhì)量比為2:1。
8.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,原料中玻璃粉與著色劑的質(zhì)量比為3:1。
9.如權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料,其特征在于,原料中玻璃粉與著色劑的質(zhì)量比為1:1。
10.權(quán)利要求1所述的一種高強度半導(dǎo)體封裝陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:(1)將原料中各組分制成0.5~0.7微米粉狀并混合均勻;(2)成型;(3)成型后在氮氣與氫氣的比例為1:1~3氣氛中進行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1200~1300℃,所述氮氣與氫氣的比例為體積比。
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