[發(fā)明專利]電子發(fā)射裝置及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110296578.2 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103035461A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柳鵬;范守善;魏洋 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J29/46 | 分類號(hào): | H01J29/46;H01J31/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 發(fā)射 裝置 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置及采用所述電子發(fā)射裝置的顯示裝置。
背景技術(shù)
電子發(fā)射顯示裝置在各種真空電子學(xué)器件和設(shè)備中是不可缺少的部分。在顯示技術(shù)領(lǐng)域,電子發(fā)射顯示裝置因其具有高亮度、高效率、大視角,功耗小以及體積小等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于汽車、家用視聽電器、工業(yè)儀器等領(lǐng)域。
傳統(tǒng)的電子發(fā)射顯示裝置的結(jié)構(gòu)可以分為二極型和三極型。二極型電子發(fā)射顯示裝置包括有陽極和陰極,這種結(jié)構(gòu)由于需要施加高電壓,而且均勻性以及電子發(fā)射難以控制,僅適用于字符顯示,不適用于圖形和圖像顯示。三極型結(jié)構(gòu)則是在二極型基礎(chǔ)上改進(jìn),增加?xùn)艠O來控制電子發(fā)射,可以實(shí)現(xiàn)在較低電壓條件下發(fā)出電子,而且電子發(fā)射容易通過柵極來精確控制。因此,三極型電子發(fā)射顯示裝置中,這種由產(chǎn)生電子的陰極和引出電子并將電子加速的柵極構(gòu)成的電子發(fā)射裝置成為目前較為常用的一種方式。
現(xiàn)有的常用的電子發(fā)射裝置通常包括陰極、絕緣支撐體和柵極。陰極包括多個(gè)電子發(fā)射體。絕緣支撐體設(shè)置于陰極上,對應(yīng)于電子發(fā)射體開有通孔。柵極設(shè)置于絕緣支撐體上,對應(yīng)于電子發(fā)射體開有通孔。使用時(shí),施加不同電壓在柵極和陰極上,電子從電子發(fā)射體發(fā)射出,并穿過絕緣支撐體及柵極的通孔,發(fā)射出來。
現(xiàn)有的電子發(fā)射裝置中,其柵極常采用多孔的金屬柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)。金屬柵網(wǎng)上的多個(gè)網(wǎng)孔即柵極的柵孔,柵孔的孔徑應(yīng)盡量較小,這是因?yàn)槲⑿〉臇趴撞粌H可以使柵孔內(nèi)外形成更均勻的空間電場,而且可以降低柵極電壓,從而降低電子束的發(fā)散(請參見“具有微小柵極孔徑的場發(fā)射陰極的模擬”,宋翠華,真空電子技術(shù),場發(fā)射與真空微電子會(huì)議專輯,2006)。這種金屬柵極存在以下缺點(diǎn):其一,由于受工藝條件的限制,這種金屬柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)的網(wǎng)孔一般通過化學(xué)腐蝕工藝制得(請參見“New?Type?Gate?Electrode?of?CNT~FED?Fabricated?by?Chemical?Corrosive?method”,Chen?Jing,Journal?of?Southeast?University,V23,P241(2007)),孔徑一般都大于10微米,因此無法進(jìn)一步提高柵極柵孔內(nèi)外的空間電場均勻性,從而無法進(jìn)一步改善電子發(fā)射裝置發(fā)射電子的速度的均勻性;其二,為了提高電子的透過率,柵網(wǎng)應(yīng)盡量增大孔徑并減小絲徑,但這種結(jié)果會(huì)降低柵網(wǎng)的機(jī)械強(qiáng)度,使柵極壽命較短;其三,由于金屬的密度較大,這種金屬柵極的質(zhì)量較大,因此使電子發(fā)射裝置質(zhì)量較大,限制了電子發(fā)射裝置的應(yīng)用;其四,陰極電子及正離子會(huì)轟擊金屬柵極,這會(huì)造成柵極的破壞,進(jìn)而影響電子發(fā)射裝置的性能。
因此,確有必要提供一種電子發(fā)射裝置及使用所述電子發(fā)射裝置的顯示裝置,所述電子發(fā)射裝置發(fā)射電子的速度均勻,電子發(fā)射率較高,機(jī)械強(qiáng)度較大,質(zhì)量較小,且能具有較強(qiáng)的耐電子及離子轟擊的能力。
發(fā)明內(nèi)容
一種電子發(fā)射裝置,包括一陰極及一柵極,所述柵極與所述陰極間隔設(shè)置并與所述陰極電絕緣,其中,所述柵極為一碳納米管復(fù)合層,該碳納米管復(fù)合層包括一碳納米管層以及一介質(zhì)層包覆于該碳納米管層的整個(gè)表面。
一種電子發(fā)射裝置,包括一陰極及一柵極,所述柵極與所述陰極正對且間隔設(shè)置,其中,所述柵極為一碳納米管復(fù)合層,該碳納米管復(fù)合層包括一碳納米管層以及一介質(zhì)層包覆于該碳納米管層的表面,該碳納米管復(fù)合層為多孔結(jié)構(gòu)。
一種電子發(fā)射裝置,包括一基板以及設(shè)置于該基板表面的多個(gè)電子發(fā)射單元,每個(gè)電子發(fā)射單元包括一陰極及一柵極,所述陰極包括多個(gè)電子發(fā)射體,所述柵極懸空設(shè)置在所述陰極電子發(fā)射體的上方,其中,所述柵極為一碳納米管復(fù)合層,該碳納米管復(fù)合層包括一碳納米管層以及一介質(zhì)層,所述碳納米管層包括多個(gè)碳納米管被所述介質(zhì)層包覆,所述碳納米管層中被介質(zhì)層包覆的碳納米管之間存在空隙。
一種顯示裝置,包括一電子發(fā)射裝置,該電子發(fā)射裝置為上述所描述的電子發(fā)射裝置中的任意一種,以及一陽極,該陽極與所述電子發(fā)射裝置中的陰極相對設(shè)置,所述電子發(fā)射裝置中的柵極設(shè)置在所述陰極與所述陽極之間,并與所述陰極及所述陽極間隔。
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