[發明專利]薄膜晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201110296518.0
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN103021825A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

隨著工藝技術的進步，薄膜晶體管已被大量應用在顯示器之中，以適應顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極、漏極、源極以及溝道層等組成部分，其通過控制柵極的電壓來改變溝道層的導電性，使源極和漏極之間形成導通或者截止的狀態。

薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及溝道層等部件，通過控制柵極的電壓來改變溝道層的導電性。一般地，在溝道層形成之后，通過摻雜的方法在溝道層的相反兩端形成高摻雜區域以形成源極和漏極。然而，上述摻雜的過程不僅使薄膜晶體管的制作工藝復雜化，而且還需要額外的設備如離子注入機等，這無疑會增加薄膜晶體管的制作成本。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種制備過程簡單的薄膜晶體管的制造方法。

一種薄膜晶體管的制造方法，包括：在基板上形成一氧化物半導體層；在該氧化物半導體層上形成一柵絕緣層以覆蓋氧化物半導體層的部分區域；以該柵絕緣層作為掩膜，采用光子能量小于該氧化物半導體層禁帶寬度的光線照射未被柵絕緣層覆蓋的區域以形成源極和漏極，未被光線照射的區域作為溝道層；以及在該柵絕緣層的表面形成柵極。

一種薄膜晶體管的制造方法，包括：在基板上形成一柵極；在基板上形成一柵絕緣層以覆蓋該柵極；在柵絕緣層上形成一氧化物半導體層；在該氧化物半導體層上形成一蝕刻阻擋層以覆蓋氧化物半導體層的部分區域；以及采用光子能量小于該氧化物半導體層禁帶寬度的光線照射未被蝕刻阻擋層覆蓋的區域以形成源極和漏極，未被光線照射的區域作為溝道層。

在本發明提供的薄膜晶體管的制造方法中，采用光子能量小于氧化物半導體材料禁帶寬度的光線照射除溝道層以外的區域，此時，光子的能量將會被氧化物半導體材料所吸收，減少氧和氫或其他金屬的耦合鍵接，使材料中氧空位含量增加，或光子的能量被氧化物半導體材料吸收后轉換成熱能。在溫度的作用下，使氧化物半導體材料中氧空位含量增加，從而提高其載流子濃度及導電性能。上述過程無需通過在溝道層上摻雜的方式使源極和漏極的載流子濃度高于溝道層，從而使制備過程簡單，降低薄膜晶體管的制作成本。

附圖說明

圖1-圖4是本發明第一實施例提供的薄膜晶體管的制造過程示意圖。

圖5-圖10是本發明第二實施例提供的薄膜晶體管的制造過程示意圖。

主要元件符號說明