[發明專利]高鉻K4648鎳基鑄造合金返回料的熔煉方法有效
| 申請號: | 201110296306.2 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102312113A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 滿延林;王宇飛;倪偉;于海濤;王鴻光 | 申請(專利權)人: | 沈陽黎明航空發動機(集團)有限責任公司 |
| 主分類號: | C22C1/02 | 分類號: | C22C1/02;C22C19/05;C22B7/00 |
| 代理公司: | 沈陽東大專利代理有限公司 21109 | 代理人: | 李在川 |
| 地址: | 110043 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | k4648 鑄造 合金 返回 熔煉 方法 | ||
技術領域
本發明屬于冶金技術領域,特別涉及一種高鉻K4648鎳基鑄造合金返回料的熔煉方法。
背景技術
高鉻K4648鎳基鑄造合金是一種新型的高鉻時效強化鎳基鑄造高溫合金,鉻含量高達32~35%,在高溫下不僅具有較高的強度,而且具有優異的抗氧化和抗腐蝕性能,主要用于制作在1000℃以下工作的航空發動機用導向葉片,或整鑄導向類精鑄件,以及其他承受高溫下中等壓力、抗氧化和抗熱腐蝕要求較高的零部件。
高鉻K4648鎳基鑄造合金在航空發動機精鑄件的生產過程中用量較大,且合金的利用率約為22%,產生大量的澆注系統廢料和部分廢鑄件,由于合金中的Ni、W、Mo、Nb等都屬于昂貴金屬,因此如何回收利用這些廢料是目前急需解決的問題。
發明內容
本發明提供一種高鉻K4648鎳基鑄造合金返回料的熔煉方法,針對高鉻K4648鎳基鑄造合金的精鑄件在生產過程中產生的廢料量較大的問題,通過將廢料重新熔煉并調節成分,重新制成高鉻K4648鎳基鑄造合金。
本發明的方法按以下步驟進行:
1、將高鉻K4648鎳基鑄造合金在制備鑄件時產生的返回料和/或廢鑄件進行滾磨和吹砂處理,去除表面的銹蝕、模殼和雜質;
2、將經過表面吹砂處理的返回料和/或廢鑄件置于真空熔煉爐中,在真空條件下加熱至1530±10℃,待全部返回料和/或廢鑄件熔化后在1530±10℃和真空條件下進行第一次精煉20~40min,第一次精煉結束后停止加熱自然降溫至金屬液表面結膜;將結膜的物料加熱至1450±10℃沖膜,然后進行澆注獲得一次料錠;
3、分析一次料錠的成分;
當一次料錠的成分符合按重量百分比含Cr32~35%,Mo2.3~3.5%,Al0.7~1.3%,Ti0.7~1.3%,W4.3~5.5%,Nb0.7~1.3%,C0.05~0.08%,B0.002~0.004%,Ce0.01~0.03%,Ca0.01~0.02%,Y0.02~0.04%,余量為Ni時,將一次料錠與高鉻K4648鎳基鑄造合金混合置于真空熔煉爐中,混合比例按高鉻K4648鎳基鑄造合金占一次料錠與高鉻K4648鎳基鑄造合金總重量的30~60%;在真空條件下加熱至1530±10℃,待全部物料熔化后在1530±10℃和真空條件下進行第二次精煉35~45min,然后停止加熱自然降溫至金屬液表面結膜;將第二次精煉后結膜的金屬液加熱至1450±10℃沖膜,然后澆注獲得二次料錠,制成高鉻K4648鎳基鑄造合金;
當一次料錠的成分超出上述范圍時,準備CrB、Mo、Al、Ti、W、Nb、C、Ce、Ca和/或Y作為調節成分用料,要求調節成分用料與一次料錠混合后的總成分符合上述成分范圍;先將一次料錠和高鉻K4648鎳基鑄造合金混合置于真空熔煉爐中,其中高鉻K4648鎳基鑄造合金占調節成分用料、一次料錠和高鉻K4648鎳基鑄造合金總重量的30~60%;在真空條件下加熱至1530±10℃,待全部物料熔化后在1530±10℃和真空條件下進行第二次精煉35~45min,然后停止加熱自然降溫至金屬液表面結膜;將第二次精煉后結膜的金屬液在真空條件下加熱至1500±10℃沖膜,然后加入調節成分用料,待全部物料熔化后自然降溫至金屬液表面結膜;將加入調節成分用料后結膜的金屬液加熱至1450±10℃沖膜,然后澆注獲得二次料錠,制成高鉻K4648鎳基鑄造合金;
所述的高鉻K4648鎳基鑄造合金成分按重量百分比含Cr32~35%,Mo2.3~3.5%,Al0.7~1.3%,Ti0.7~1.3%,W4.3~5.5%,Nb0.7~1.3%,C0.03~0.10%,B0.002~0.008%,Ce0.01~0.03%,Ca0.01~0.02%,Y0.01~0.04%,余量為Ni。
上述的步驟2中熔體進行澆注時,采用三層陶瓷過濾網對熔體進行過濾,第一層陶瓷過濾網的規格為10~12PPI,第二次陶瓷過濾網的規格為10~12PPI,第三層陶瓷過濾網的規格為10~15PPI,第一層和第二層陶瓷過濾網之間的間距為50~80mm,第二層和第三層陶瓷網之間的間距為80~100mm。
上述的步驟2中,所述的加熱至1530±10℃,控制升溫時間為95~140min。
上述的步驟3中,所述的加熱至1530±10℃,控制升溫時間為100~150min。
上述的步驟2中,所述的在真空條件下加熱至1530±10℃,是指真空度≤10.6Pa;在1530±10℃和真空條件下進行第一次精煉,是指真空度≤1.33Pa。
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