[發明專利]絕緣體上硅結構及其制造方法、半導體器件無效
| 申請號： | 201110296304.3 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102315154A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發明（設計）人： | 李樂 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣體 結構 及其 制造 方法 半導體器件 | ||
1.一種具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構，其特征在于包括鄰接的第一部分和第二部分；
其中所述第一部分包括硅頂層、掩埋氧化物層、硅基底層，其中所述硅頂層中形成有電路和第一淺溝槽隔離區域，并且所述第一淺溝槽隔離區域穿過所述掩埋氧化物層并進入所述硅基底層；
并且所述第二部分僅具有硅基底層，且所述硅基底層中形成了第二淺溝槽隔離區域。
2.根據權利要求1所述的具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構，其特征在于，所述掩埋氧化物層、所述第一淺溝槽隔離區域和第二淺溝槽隔離區域具有同種材料。
3.根據權利要求1或2所述的具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構，其特征在于，所述絕緣體上硅結構包括絕緣體上鍺結構。
4.一種半導體器件，其特征在于包括根據權利要求1至3之一所述的具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為MOS晶體管。
6.一種具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構的制造方法，其特征在于包括：
提供基片，所述基片具有硅頂層、掩埋氧化物層以及硅基底層；
在所述基片中形成多個淺溝槽隔離區域，使得所述多個溝槽隔離區域穿過所述硅頂層和所述掩埋氧化物層并進入所述硅基底層；以及
對形成有所述多個淺溝槽隔離區域的基片進行刻蝕，使得部分地去除所述基片的所述硅頂層和所述掩埋氧化物層。
7.一種具有淺溝槽隔離的絕緣體上硅結構的制造方法，其特征在于包括：提供基片，所述基片具有硅頂層、掩埋氧化物層以及硅基底層；
對所述基片進行刻蝕，以將所述基片分成第一部分和第二部分的基片，其中第二部分基片中的掩埋氧化物層、硅基底層被去除；以及
分別在所述第一部分和所述第二部分中形成第一淺溝槽隔離區域以及第二淺溝槽隔離區域。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
